全文获取类型
收费全文 | 2004篇 |
免费 | 1190篇 |
国内免费 | 1054篇 |
专业分类
化学 | 1327篇 |
晶体学 | 165篇 |
力学 | 261篇 |
综合类 | 64篇 |
数学 | 367篇 |
物理学 | 2064篇 |
出版年
2024年 | 26篇 |
2023年 | 74篇 |
2022年 | 77篇 |
2021年 | 78篇 |
2020年 | 61篇 |
2019年 | 91篇 |
2018年 | 64篇 |
2017年 | 103篇 |
2016年 | 102篇 |
2015年 | 130篇 |
2014年 | 244篇 |
2013年 | 215篇 |
2012年 | 220篇 |
2011年 | 235篇 |
2010年 | 236篇 |
2009年 | 237篇 |
2008年 | 215篇 |
2007年 | 216篇 |
2006年 | 240篇 |
2005年 | 258篇 |
2004年 | 186篇 |
2003年 | 162篇 |
2002年 | 138篇 |
2001年 | 121篇 |
2000年 | 86篇 |
1999年 | 55篇 |
1998年 | 45篇 |
1997年 | 50篇 |
1996年 | 32篇 |
1995年 | 36篇 |
1994年 | 47篇 |
1993年 | 23篇 |
1992年 | 32篇 |
1991年 | 29篇 |
1990年 | 43篇 |
1989年 | 24篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有4248条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
以两亲性嵌段共聚物聚乙二醇-b-聚四乙烯基吡啶(PEO-b-P4VP)为模板制备聚联苯胺微/纳米颗粒,调节模板剂胶束溶液pH,得到了一系列形貌和尺寸可控的聚联苯胺微/纳米颗粒。利用红外光谱、核磁共振、透射电镜、循环伏安、恒电流放电、交流阻抗等测试对材料的结构和性能进行了表征。模板法合成的聚联苯胺为平均直径小于200nm的亚微米至纳米级棒状颗粒,其直径随着模板剂胶束溶液pH的降低而增加。所得聚联苯胺颗粒均显示了一定的电化学活性,当电流密度为1A/g时,聚联苯胺的比电容量达到306.3F/g,经过长时间的充放电测试,不同条件下合成的聚联苯胺的容量衰减率均很小,表现出良好的循环稳定性且各样品电化学性能呈现出随着直径的减小而增强的趋势。 相似文献
102.
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
103.
颤振是卫星平台在轨运行的固有现象之一,也是高分辨率对地观测卫星研究的难点和热点。针对资源三号02星在轨运行过程中的平台颤振情况,提出了一种基于能量对称分布的相位相关配准算法。结合多光谱相机各谱段相机之间的安装关系,考虑到平台的线性平滑运动特性,采用二次函数消除系统变化量,得到线性拟合的平台颤振曲线,最后利用星敏陀螺数据联合滤波得到卫星姿态复合验证曲线。实验结果表明:在模拟数据情况下,所提配准算法的配准精度能够达到0.05 pixel,可有效辅助探测卫星平台的颤振,并首次探测到资源三号02星平台存在0.63~0.65 Hz的颤振,振幅为0.41″~1.12″。 相似文献
104.
在普通物理知识范围内,根据超导体的迈纳斯效应和磁场边值条件的唯一性,计算出了均匀外磁场中超导球表面的超导电流和磁场分布. 相似文献
105.
106.
Based on the quasi-classical trajectory (QCT) method and Matlab GUI technology, we developed a program code for visualizing the collision process of the elementary chemical reactions of the a + bc type. The general methodology of QCT, abstraction of dynamical properties of molecular collisions and the making of Graphical User Interface are introduced. The running results of an application to the reaction F + HCl→HF + Cl is also presented. The results showed that this program could vividly demonstrate the behavior and final state of the atom-diatom collision process in animated form. Students can interact with internal MATLAB code through graphical user interface, observe the reactive behavior and final results in real-time from multiple angles, which helps students to understand the complex reaction mechanism and deepen their perceptual impression of the chemical process at a microscopic atomic/molecular level. 相似文献
107.
以壳聚糖(CS)为生物模板,采用低温水热法成功制备出了多层状碱式碳酸锌(ZCHO)微晶.采用XRD、SEM和TG等手段对产物的结构、形态和热学性能进行了表征,结果表明,单个ZCHO微晶颗粒均是由许多ZCHO纳米片构成的.添加适量的CS对形成多层状ZCHO微晶起到了至关重要的作用.热重分析结果表明,CS辅助得到的碳酸锌微晶热稳定性较高.等温吸附实验表明,在室温下,多层状ZCHO微晶能有效脱除水体中的Cu2,去除量与浓度关系符合Freundlich模型.最后讨论了多层状ZCHO微晶大容量去除Cu2+的可能机理. 相似文献
108.
将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现:垂直结构LED薄膜芯片在160~180℃下退火应力释放明显,200℃时应力释放充分,GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。 相似文献
109.
点阵结构具有质量轻、承压性能好、比刚度大等特点,广泛应用于轻量化部件与承压结构。采用选区激光熔覆技术制备了316L不锈钢空心点阵结构,通过准静态压缩实验和有限元数值模拟,研究了含不同尺寸空心微柱的点阵结构在压缩变形时的失效和变形模式及其成因。结果表明:316L不锈钢材料的空心管状结构在点阵压缩过程中无明显压溃失稳,其结构失效模式是由节点失效诱发微柱变形,进而造成整体失效;结构的变形模式为整体均匀变形,但是当壁厚和外径较小时,边界层将因刚度不足而率先变形;增大空心微柱尺寸可使结构刚度增大。 相似文献
110.
Monolithic integration of an AlGaN/GaN metalinsulator field-effect transistor with an ultra-low voltage-drop diode for self-protection
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration. 相似文献