液晶小预倾角测试的数值分析

用晶体旋光法测量液晶薄层的预顺角，文献[1]介绍了测出光强透过率曲线T(i)，据“对称”极值点ix由a=1/2Arcsin 2nosinix/(nx no)[(n^20-sin^ix)的平方根]计算出α。     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线，并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释，比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比，简单明了，实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案，改进了晶体质量。     

6LiI:Eu晶体的制备和闪烁性能研究

⁶LiI:Eu晶体是一种重要的热中子探测闪烁材料,研究了不同掺杂浓度和取样位置对⁶LiI:Eu晶体光学和闪烁性能的影响。以⁶LiI (6Li丰度大约95%)和EuI₂为原料,在真空气氛下生长制备出Eu²⁺离子的初始掺杂浓度分别为0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%和0.05%(摩尔分数)的⁶LiI:Eu晶体。通过测试室温下的透射光谱、发光光谱、闪烁衰减时间、伽玛射线和中子激发下的脉冲高度谱,研究了⁶LiI:Eu晶体性能的影响规律。研究发现Eu²⁺的掺杂浓度从0.01%～0.04%时,⁶LiI:Eu晶体在中子激发下的能量分辨率先提高后下降;当掺杂浓度为0.03%时,晶体具有最佳的均匀性和中子响应能力。由于掺杂离子的分凝,同一晶体从籽晶端至尾端存在明显的性能不均匀现象。     

半导体纳米晶在生物标记领域的应用

对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用.     

上转换激光基质晶体BaY2F8的结晶习性

由BaY2F8晶体的结构特点和粉晶X射线衍射（XRD）数据,分析了该晶体的结晶习性。晶体结构中的强键为Y-F2-Y键,该键沿[001]方向伸展成链状,是晶体的优势生长方向。晶体的平衡稳定形态由斜方柱{130},{021}组成,晶体呈沿[001]方向发育的轴状习性。温度梯度法生长所得晶体的切片分析,证实了以上结论。BaY2F8晶体系采用提拉法等强制方法获得。     

BPOB的绝对不对称合成机理及固体CD光谱

以苯乙酮与间苯二甲酸甲酯为原料经由Claisen缩合制备了1,3-二(3-苯基-3-氧代丙烯醇)苯(BPOB). 用元素分析、MS、1H NMR、UV吸收光谱、X射线单晶衍射和固体CD光谱等对其进行了表征. 晶体结构数据显示, BPOB属于Sohncke空间群P212121, UV和1H NMR谱表明, BPOB在溶液中主要以烯醇式存在, 固体CD光谱和重结晶实验证明, BPOB手性晶体的形成是结晶诱导的绝对不对称合成.     

无模板剂二次生长法制备取向MFI型分子筛膜

使用旋涂法在多孔α-Al₂O₃载体上获得了b-&h0h-取向的silicalite-1晶种层。在无模板剂存在条件下进行二次生长,通过改变合成液的碱度(OH^-/Si)、水量(H₂O/Si)和晶化温度等,调节膜表面的形貌和晶体取向。SEM和XRD检测结果表明,对于1SiO₂:4EtOH∶xNaOH∶yH₂O合成体系,x与y值的选取与分子筛膜的形貌和晶体取向紧密相关。当x=0.56时,增加y值将促进分子筛膜从随机取向到b-轴取向的转变,晶粒形貌也发生了较大变化;当y=270时,可以得到厚约为4 μm、连续且择优b-轴取向的MFI型分子筛膜。