Nd:YVO4/KTP环形倍频激光器三次谐波稳频碘吸收谱线超精细结构的研究

采用三次谐波稳频的方法,对Nd：YVO4／KTP环形倍频激光器的碘吸收谱线的超精细结构进行研究,在实验上观测到的两组谱线的超精细结构与理论值基本相符,其中,观测到的R(70)36-1谱线属于第一激发态跃迁,这一结果尚未见报道。     

以萘为π-中心的双芪类衍生物双光子上转换荧光性能研究

研究了2个新的双光子上转换荧光分子—1,4-双-(9-乙基咔唑基)萘(简称为BECVN)和1,4-双-(4’-N,N-二甲氨基苯乙烯基)萘(简称为BMABN)的单光子、双光子光谱性质。在～375 nm Xe灯光源激发下,两样品的DMF溶液发出很强的蓝、绿色荧光(峰位492～541 nm),视感效果非常明显。BMABN分子的线性吸收/发射光谱的峰位与BECVN分子相比,均发生红移;相对荧光量子产率(Φ_f)比BECVN降低了7.4倍。在飞秒钛宝石激光器泵浦下(760 nm),两样品的DMF溶液发出强的双光子上转换荧光发射,峰位与单光子荧光峰位相比发生红移(500～556 nm)。BMABN的双光子荧光强度和双光子吸收截面分别是BECVN的3倍和30.4倍。     

氢键效应对2,3-二氢-3-酮基-1H-吡啶并[3,2,1-kl]吩噻嗪光物理性质的影响

利用含时密度泛函理论(TDDFT)方法和飞秒时间分辨的瞬态吸收光谱技术对2,3-二氢-3-酮基-1H-吡啶并[3,2,1-kl]吩噻嗪(PTZ4)和3-酮基-1H-吡啶并[3,2,1-kl]吩噻嗪(PTZ5)这两种荧光探针分子的光物理性质进行了研究. TDDFT结果表明PTZ4和PTZ5在甲醇溶液形成了氢键络合物导致它们吸收峰的红移. PTZ4分子在基态有四种稳定构型,其在四氢呋喃溶液中的双荧光峰正是来自于四种构型下的内部电荷转移态. PTZ4分子在四氢呋喃和甲醇溶液中的瞬态吸收光谱表明,从局域态到转移态的弛豫时间常数在四氢呋喃中为16.0 ps,在甲醇中为7.5 ps;PTZ4分子在甲醇中的激发态寿命为53.8 ps,而这种超短的寿命可能是由于PTZ4分子在激发态时形成的面外型氢键络合物导致的.     

甲壳素邓要—火焰原子吸收分光光度法测定痕量铜

利用甲壳对金属离子的选择性吸附，研究了甲壳素快速吸附离子的吸附条件和洗脱条件，在火焰原子吸收分光光度计上进行铜的测定，方法简单快速吸附离子的吸附检出限为８．０ｄｎｇ／ｍＬ，精密度ＲＳＤ为３．６％，用于矿样中痕量铜的测定，分析结果与推荐值吻合。     

三光子吸收效应与误码率

本文用噪音微扰场讨论了三光子吸收效应对光纤放大器的增益噪音和误码率的影响.由此得到三光子吸收效应能抑制该类噪音和减小误码率而有利于光孤子通信的结论.     

CdSxSe1-x半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数,较快非线性响应和回复时间的CdS_xSe_1-x半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环(亦称为非谐振环)APM激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明:在抗共振环APM激光器中,应用CdS_xSe_1-x半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄。     

金属微料—绝缘媒质复合体的远红外吸收

利用有效媒质理论计算金属微料－绝缘媒质的远红外吸收，发现当微粒形状均匀连续分布时，可使微粒表面等离子体出现共振吸收谱，进而使复合体的吸收峰宽化，这现象可导致复合体的远红外异常吸收。     

饱和反饱和吸收介质的简并四波混频和全息随时间变化规律

对四能级饱和反饱和吸收介质的简并四波混频和全息随时间的变化行为进行了理论分析，论证了倍号响应时间，强度和衰减依赖于激发光强，样品的饱和强度和三重态寿命，并用偶氮分子乙基橙进行了实验验证。．     

Cr^4＋：YAG的可饱和吸收特性与被动Q开关性能研究

运用速率方程计算了Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ晶体的可饱和吸收特性参数，包括初始吸收系数，饱和吸收系数，饱和光强和损耗调制度，用Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ对脉冲和连续Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行了被动调Ｑ，在脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光器上得到了８ｎｓ的调Ｑ激光脉冲，在连续Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的调Ｑ中得到了间隔和幅度抖动小于５％的输出脉冲充列。     

碱性品红敏化的光致聚合物在441nm短波长的全息存储特性研究

制备了一种以碱性品红为光敏剂的新型全息存储材料,且使用波长为441nm的He—Cd激光器成功研究了材料的全息特性。研究表明,该材料在短波长处仍具有较高的衍射效率、曝光灵敏度和较大的折射率调制度,衍射效率近60％,灵敏度为2．93×101c群／mJ,折射率调制度为8．85×10．。。在存储介质膜中存储了全息图像,再现图像较为清晰,对比度与保真度较为理想,说明该材料具有较好的全息存储性能,适合作为高密度全息存储介质。