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101.
一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同. 关键词: 类耗散性 类混沌吸引子 类Ⅴ型阵发  相似文献   
102.
准Λ型四能级系统中的超窄谱线的研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果 关键词: 准Λ型四能级系统 超窄谱线 多通道量子干涉  相似文献   
103.
高精度的光纤衰减系数测试系统的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用常规仪器设备,设计了一套集光、机、电为一体的光纤衰减测量,实现了数字化监测显示,并可与微机接口;采用双光路法,消除了由于光源光强不稳定产生的误差。  相似文献   
104.
用过氧聚钨酸(PPTA)水溶液,通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜,利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料,具有很高的利用价值。  相似文献   
105.
一类广义Bent型S-Box的构造   总被引:1,自引:0,他引:1  
S-box是密码理论与实践中十分重要的一种装置 ,它的密码性能由其分量函数所决定 .于是 ,选择适当的分量函数来构造 S-box就成了一个重要的研究课题 .在一定意义上 ,Bent函数是最优良的密码函数 .本文通过函数序列半群和置换群来构造其任何非零线性组合为 Bent函数与线性函数之和的函数组 ,从而可由 Bent函数构造出具有高度非线性度和其他良好性状的 S-box  相似文献   
106.
刘小青  谢芳森 《光子学报》2002,31(10):1178-1183
导出了类Kerr介质中双模SU(1,1)相干态场与Λ型三能级原子相互作用系统的态函数,研究了Kerr效应对Λ型三能级原子布居概率、双模SU(1,1)相干态场的互关联函数、Cauchy-Schwartz不等式及二阶相干度的影响.结果表明:Kerr效应使原子与光场的耦合减弱,原子布居的崩塌与复苏的周期缩短;在初始光场较弱和较强两种情况下,类Kerr介质对双模SU(1,1)相干态场两模间的相关性、相关程度以及光子的聚束与反聚束效应产生的作用有明显的区别.  相似文献   
107.
亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大.  相似文献   
108.
109.
脉冲中立型时滞抛物方程的振动性   总被引:6,自引:0,他引:6  
张雨田  罗琦 《数学杂志》2006,26(3):272-276
本文研究了一类脉冲中立型时滞抛物方程解的振动性及强振动性,获得了此类脉冲中立型时滞抛物方程解振动和强振动的代数判据.  相似文献   
110.
本文提出等效远场的可变孔径方法,由测量光纤远场累积分布求得模场半径。并且利用Petermann关于模场半径的新定义,推出了一种对非高斯模场分布也适用的求模场半径的方法。实验表明,这种测量方法简便可靠,在不同的制备端面下,重复测量的标准误差小于0.04μm。  相似文献   
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