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11.
在三角函数的和差化积与积化和差的教学中,大多数教师可能注意到这么一道计算题:求tgπ7tg2π7tg3π7的值或证明:tgπ7tg2π7tg3π7=7.近日在教学中碰到一题:求证:tgπ5·tg2π5=5;结合tgπ3=3,使我大胆猜想:对n∈N,有...  相似文献   
12.
孔祥木  李崧 《中国科学A辑》1998,41(12):1129-1134
在Gauss模型中 ,假设Gauss分布常数依赖于晶格格点的配位数 ,并且满足关系bqi/bqj=qi/ qj( qi是格点i的配位数 ,bqi是格点i上的Gauss分布常数 ) .利用重整化群变换和自旋重标相结合的方法 ,研究了一族钻石型等级晶格上Gauss模型的临界行为 .结果发现 :这些晶格的铁磁相变性质属于同一普适类 ,其临界点和临界指数分别为K =bqi/ qi 和ν=1 / 2 .  相似文献   
13.
对《求标准正交基的技巧》一文的两点意见徐彦明(山东临沂教育学院276001)《求标准正交基的技巧》一文(本刊1997年第3期,以下简称《技巧》)给出了利用矩阵的列初等变换由n元列向量空间Rn的任意一个基α1,α2,…,αn求出一个标准正交基的方法步骤...  相似文献   
14.
杨光明  廖代正 《物理》1998,27(4):215-218
配合物分子材料的研究是对传统无机和有机材料的一种新发展和挑战.光致自旋转换配合物可望是实现光开关和记录信息的理想体系.  相似文献   
15.
16.
~~光功能纳米陶瓷材料研究取得重要成果@汪道友~~  相似文献   
17.
18.
3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH<4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0~pH<7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数.  相似文献   
19.
提出了产生对称轨道 (symmetricorbital,SO)的标准方法与封闭公式 .SO对于乘法运算是封闭的 ,SO的直积构成N秩SO张量 (NthrankSOtensor,SOT)群 .在进行高秩张量矩阵元计算时 ,SOT方法能自动实现物理因子与几何因子的完全分离 ,无需偶合系数 .与不可约张量方法比较 ,计算过程大大简化 .  相似文献   
20.
用双-(2-羟乙基)二硫代甲酸铵(HEDC)在反相液相色谱中作检测某些金属离子的衍生化试剂,HEDC的金属螯合物微溶于水,可直接水样注射于C18柱中进行检测,范围为0.006~10mg/L相对偏差1%~2%,检测波长254nm,金属汞的整合物在HPLC分析前进行浓缩富集检测限可低至0.06~25μg/L,相对偏差小于2%。  相似文献   
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