常平均曲率曲面的谱变换与Weierstrass表示

利用可积系统的方法, 研究了三维双曲空间常平均曲率曲面的形变, 以及三维双曲空间常平均曲率大于1的单连通曲面的Weierstrass表示公式.     

黑腔靶X光转换,输运的定量测量

为了测量黑腔靶X光引光效率、转换效率,我们设计了相应的分解靶(泄漏靶)实验,1989～1992年在″神光″装置上共进行了四次漏靶分解实验,利用灵敏度作了绝对标定的平响应X光二极管对漏靶注入孔、引光孔流出的X光角分布进行了测量,测出了x光角分布,得到了黑腔靶X光转换效率为50％～60％,引光效率约6％,为以后辐射驱动内爆研究的理论计算和靶的优化设计提供了重要的数据。     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_1/2(H_α)<△λ_1/2(H_β)<△λ_1/2(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10¹⁷cm^-3,电子温度T≈40 000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。 关键词：     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：     

对Kodak—SWR底片在软X光波段的绝对标定

运用透射光栅光谱仪，对线聚焦高功率激光辐照到锗靶上产生的软Ｘ光激光进行光谱记录，利用衍射谱的对称性和已经绝对标定过的Ｋｏｄａｋ－１０１底片来完成对Ｋｏｄａｋ－ＳＷＲ底片的绝对标定。     

Al2O3／MgO／C复合微粒子光学散射截面的计算

本文用米氏方法导出了三种组分构成的均匀球形复合微粒子光学散射截面的计算公式，并计算了复合微粒子Ａｌ２Ｏ３／ＭｇＯ／Ｃ在特定红外光波波长下的光学散射截面。给出了复合微粒子中不同组分的介质层厚度与散射截面的关系曲线，最后对结果作了简单讨论。     

超声射流冷却PH2自由基的激光诱导荧光谱

在４９０－５００ｎｍ波长范围内观测了超声射流冷却ＰＨ２自由基的激光诱导荧光激发谱，得到了在转动Ｋ的情况下ＰＨ２Ａ＾２Ａ１←Ｘ２Ｂ１适中（０，０，０）←（０，０，０），（０，１，０）←（０，０，０）和（０，２，０）←（０，０，０）三个振动谱带的转动分辨光谱，对这三个谱带中的约２２０条转动谱线进行了归属，其中５２条谱线是我们新标识的。从转动结构，我们获得了气相ＰＨ２自由基的全部分子常数，其中εｂｂ，ε