铟(Ⅲ)-芦丁极谱络合吸附波的研究

在pH6.0的乙酸盐缓冲底液中,用单扫极谱法可获得高灵敏度的铟(Ⅲ)-芦丁的络合吸附波,其检测下限达3.0×10~(-10)mol/L。成功地用于纯金属锌中10~(-5)％铟的测定。测得吸附电活性络合物的组成为:In(Ⅲ):芦丁=1∶2,条件稳定常数为1.8×10~(10)。电极反应是吸附络合物中的In(Ⅲ)还原为In(Hg)。测得电极反应的转移系数α=0.51,表面电化学反应的标准速率常数k_s=0.43/s     

双(6-溴代-9-乙基-咔唑-3-基)甲苯基碘盐的合成

双(9-乙基-咔唑-3-基)甲苯基碘盐是一种性能优良的有机光电导体增感剂.本文合成了双(6-溴代-9-乙基-咔唑-3-基)甲苯基碘盐,其分子结构通过红外、核磁、质谱和元素分析得到证实.初步实验表明该染料具有较宽范围的光谱响应,与聚 N-乙烯基咔唑(简称 PVK)相配合具有优良的光敏性能.     

钇(Ⅲ)-3-噻唑偶氮-5-氨基苯酚络合物的极谱络合吸附波研究

在pH 8.40的NH3-NH4Cl缓冲溶液中,钇与3-噻唑偶氮-5-氨基苯酚络合物有一灵敏的极谱吸附波,其峰电位在-0.67 V(vs.SCE),峰电流与钇的浓度在1×10-7~8×10-4mol/L之间呈线性关系,检出限为8×10-8mol/L;经多种电化学方法证明该波为络合物吸附波,其电极过程为不可逆过程,电子转移数为2,此外还试验了多种离子对峰电流的影响,所拟方法已用于茶叶中钇的测定。     

碘酸钾存在下极谱催化波法测定陈皮甙

基于陈皮甙在ＫＩＯ３存在下产生的极谱催化波，拟定了测定陈皮甙的新方法。在 ０．５５ ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－０．０１ｍｏｌ／Ｌ　ＮａＡｃ（ｐＨ ４．００±０．０５）－１．０×１０～（－３）ｍｏｌ／Ｌ ＫＩＯ３缓冲溶液中，陈皮甙催化波的峰电位为－１．３５ Ｖ（ｖｓ，ＳＣＥ），它的一阶导数峰峰电流与陈皮甙浓度在２．６ × １０～（－７）～２．６ × １０～（－６）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系（ｒ＝０．９９７０，ｎ＝６）。本方法比现有的电化学方法灵敏度高一个数量级。可用于直接测定中草药贯众水提液中陈皮甙含量。     

细胞呼吸爆发的微量量热学研究

The heat production of Wistar rat polymorphonuclear leukocytes (PMN) was measured by an LKB 2277 Thermal Activity Monitor. When PMN were activited with phorbol-12-myristate13-acetate (PMA), the respiratory burst was recorded by greatly incr eased heat production. Experiment was also carred out in the present of the inhibitor, Total Flavonoids of Lycium Barbarum L. (TFL). The respiratory burst heat production peak was disappeared, but the heat production curve was higher than that of PMA because TFL increased the metabolic activities of PMN.     

光电高分子多级结构

光电高分子由于本身良好的光电性能、结构易修饰、良好的加工性及其柔性、便携等优点,被广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池、有机激光器、场效应晶体管等领域,被誉为第四代高分子材料。与传统高分子材料相类似,光电高分子的多级结构是决定材料性质、稳定性及其应用的重要因素。本文立足于前期的工作基础,阐明了研究光高分子多级结构的重要性,划分了多级结构相应的研究领域和方向:一级结构(分子链结构)、二级结构(单分子链行为及其形态特征)、三级结构(凝聚态结构:无规相态、结晶相态等)以及高级结构(多种凝聚态结构协同作用产生新功能、新现象);简要总结了光电高分子多级结构的研究现状,提出多级结构的协同作用是实现高性能、高稳定光电子器件的重要前提。     

Love波免疫传感器在免疫分析中的研究

Love波免疫传感器是一种以免疫反应为识别方式的新型声表面波传感器。与其它压电声波免疫传感技术相比,水平剪切型表面波、高的压电晶体基频以及声波导层的存在使Love波免疫传感器在可用于气液两相检测的同时具有更高的灵敏度,从而可以成为免疫分析中的一种重要的工具。本文分别从Love波传感器的构造、原理、发展现状和以抗体作为探针在传感器表面的固定化方法两方面综述了Love波免疫传感器的研究进展。     

大口径光学元件波前调制PSD模拟分析

 使用PSD作为大口径光学元件表面加工质量的评价参数，针对不同的波前调制进行了初步的模拟计算，得到了不同调制频率和不同调制深度情况下的PSD曲线变化情况。当调制频率不同时，PSD曲线的突变部分会发生相应的频移，调制频率高则突变发生在空间频率较高的频段，同时PSD峰值不变。相对应调制深度不同时，PSD曲线的突变部份峰值发生变化，调制深度大则峰值大，与此同时峰值出现的位置不会发生变化。计算和分析结果表明PSD分析结果能够在频率域反应出元件表面受到的不同程度的调制信息。