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71.
F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线 总被引:1,自引:0,他引:1
通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用,可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态,退激时,辐射出能量为4.9eV的光量子,其波长为253.7nm. 相似文献
72.
稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以自由Mn2+离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn1-xMnxTe晶体中Mn2+离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律. 相似文献
73.
74.
75.
氯柱硼镁石在氯化镁水溶液中相转化平衡液相的红外光谱分析 总被引:5,自引:0,他引:5
采用差示FTIR光谱技术,研究了氯柱硼镁石在30℃下浓度为0.5,12和18%MgCl_2水溶液中溶解及相转化平衡饱和水溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱。给出了溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱振动频率的归属,515cm~(-1)为单和二硼氧配阴离子特征峰,630cm~(-1)为三硼氧配阴离子特征峰,550cm~(-1)为四硼氧配阴离子特征峰。对饱和水溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其相互作用以及与相转化析出固相的关系进行了讨论。 相似文献
76.
Silane photoabsorption spectra mear the Si 2p thresholds:the geometry of Si 2p excited SiH4 下载免费PDF全文
Based on the multiple-scattering self-consistent-field method, we have studied the photoabsorption spectra near the Si 2p thresholds of silane. According to our calculations, the clear assignments of the inner-shell photoabsorption spectra are provided. In comparison with the high-resolution experimental spectra, the geometric structure of the Si 2p-excited SiH_{4}^{**} is recommended to be of a C_{2v} symmetry. More specifically, the Si 2p-excited SiH_{4}^{**} have two bond lengths of 2.50 a.u. and another two bond lengths of 2.77 a.u., and the corresponding two bond angles are 104.0° and 112.5° respectively. 相似文献
77.
采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献
78.
考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。 相似文献
79.
Deposition of Diamond-Like carbon Films by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation at Various Substrate Temperatures 下载免费PDF全文
Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease. 相似文献
80.
在氨性溶液中,光照射对ZnTPPS的形成影响很大。光-极谱试验表明:光电流(i_p)与浓度(c)间有以下的关系:对Zn(NH_3)_4~(2+),i_p∝C_((Zn)(NH_3)_4)~(2+)_~(1/2),对H_2TPPS,i_p∝C_(H_2TPPS),ZnTPPS络合物还原波的i_p不明显。本文对其差异性和光电流产生的原因做了初步探讨。 相似文献