超快光电测量技术

本文综述了近年来趔快光电测量技术的新进展，其中包括扭快光电材料的特性、高速光电器件的基本原理，着重介绍了若干主要的用快光电测量技术．     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

高效凝胶过滤色谱法（光电二极管阵列检测器）分离、测定巴豆毒蛋白

 巴豆毒蛋白粗提液在高效蛋白柱上分离，用光电二极管阵列检测器给出光谱信号，判断所需蛋白的峰，并利用光谱图和反相高效液相色谱来确认分离峰的纯度；在高效蛋白柱上测定了巴豆毒蛋白的分子量；利用离子交个邻苯二甲醛柱后衍生法测定了巴豆毒蛋白的氨基酸含量。     

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究杨迈之，张雯，蔡生民，任聚杰（北京大学化学系，北京，１０００７１）（河北医学院化学系，石家庄）潘传智，杨勇（浙江工业大学化工系，杭州）（厦门大学化学系，厦门）关键词铜，缓蚀剂，微区光电压图铜的腐蚀与防腐早已引起...     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

6AZO-CONTAINING SELF-ASSEMBLY ULTRA-THIN FILMS AND THEIR PHOTOVOLTAIC PROPERTIES

A kind of azo-containing resin (Azo-R) was synthesized by a simple way through the coupling reaction of 2-nitro-N-methyldiphenylamine-4-diazoresin (NDR) with phenol, and a new covalentely attached multilayer film from Azo-R as H-donor and photosensitive diazoresin, diphenylamine-4-diazoresin (DR) as H-acceptor via H-bonding attraction by selfassembly technique has been fabricated. Following the decomposition of diazonium group of DR under exposure to UV light, the H-bonds between the layers of the film convert to covalent bonds and the film becomes very stable toward polar solvents or electrolyte aqueous solutions. Thus the UV-irradiated azo-containing films can be used to measure photocurrent in a conventional three-electrode photoelectrochemical cell using KCl as supporting electrolyte. It was confirmed that the azo-containing multilayer film is responsible for the photocurrent generation.     

四磺酸基酞菁锌在水和非水溶剂中的电化学性质研究

在非水溶剂（二甲基亚砜（ＤＭＳＯ）及Ｎ,Ｎ＿二甲基甲酰胺（ＤＭＦ））中的伏安曲线．呈现三对电流峰,表明存在三个可逆或准可逆酞菁配体的单电子转移过程,而在水溶液中则不呈现准可逆行为,且波形改变很大．此外,还比较了四磺酸基酞菁锌的水溶液在自然光和红光（６００～７００ｎｍ）照射下的循环伏安曲线,其氧化还原峰的数目和峰电位基本不变,但在红光照射下比自然光照射下的峰电流明显增大．     

2-苯基苯并咪唑衍生物非线性光学性质的从头算研究

采用HF／6-31G^*方法优化分子构型，在此基础上用CPHF方法系统地研究了多种基团取代的2-苯基苯并咪唑衍生物的二阶非线性光学系数βvec，并对βvdc的影响因素进行了探讨，为进一步设计综合性能优良的有机非线性光学材料提供理论指导．     

酞菁氧钛/卟啉氧钒复合体系光导性能的协同增强效应

在酞菁氧钛（TiOPc)／卟啉氧钒（VOTPP）复合光生材料中发现了光敏性的非线性增强现象，对复合体系的电子跃迁光谱和X射线衍射图的研究结果表明，在基态下两种材料之间没有明显相互作用，光致放电研究说明，该现象来自光激发状态下复合体系中的隙间态跃迁对光导的贡献，XPS测试结果表明酞菁氧钛与卟啉氧钒分子之间存在着定向的部分电荷转移，光致激发状态下的电荷转移是协同增强效应的起因，这种协同增强效应为利用弱的电子给体与弱的受体复合体系设计新型光导材料与器件提供了新方法。