ITER真空室中子屏蔽设计

ITER真空室中子屏蔽主要是屏蔽中子流、伽马射线以及降低环向场波纹度。介绍了ITER真空室的结构特点及屏蔽结构料材的选取情况,发展了屏蔽设计思想及相关的支撑结构,对铁磁性材料填充区域进行了布局设计。依据ITER真空室物理学计算结果,确定了屏蔽区域屏蔽材料的填充率。基于三维建模软件进行了屏蔽块零件库的仿真设计和屏蔽结构的模拟仿真。     

低温低噪声放大器的发展概况及其结构设计综述

介绍了低温低噪声放大器的研制历史、现状及应用情况 ,举例分析了在该类放大器的结构设计中需要解决的关键技术 ,对军事和民用装备的有关领域有参考作用。     

Wafer-Level Testable High-Speed Silicon Microring Modulator Integrated with Grating Couplers

A wafer-level testable silicon-on-insulator-based microring modulator is demonstrated with high modulation speed, to which the grating couplers are integrated as the fiber-to-chip interfaces. Cost-efflcient fabrications are realized with the help of optical structure and etching depth designs. Grating couplers and waveguides are patterned and etched together with the same slab thickness. Finally we obtain a 3-dB coupling bandwidth of about 6Ohm and 10 Gb/s nonreturn-to-zero modulation by wafer-level optical and electrical measurements.     

Hierarchical nanowires for high-performance electrochemical energy storage

Nanowires are promising candidates for energy storage devices such as lithium-ion batteries, su- per（：apa.citors and lithium-air batteries. However, simple-structured nanowires have some limitations hence the strategies to make improvements need to be explored and investigated. Hierarchical nanowires with enhanced periormanee have been considered as an ideal candidate for energy storage due to the novel structures and/or synergistic properties. This review describes some of the recent progresses in the hierarchical nanowire merits, classification, synthesis and performance in energy storage applieat, ions. Herein we discuss the hierarchical nanowires based on their structural design from three major categories, including exterior design, interior design and aligned nanowire assembly. This review also briefly outlines the prospects of hierarchical nanowires in morphology control, property enhancement and application versatility.     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．     

大电流两电极气体开关研究

 由于引燃管难以满足现在能源系统对放电开关承受大电流的要求,因此研制了大电荷转移量两电极气体开关。这种新型气体开关电极间距可调,无触发极,采用同轴结构,并将主电极置于金属腔体内,减少了放电对绝缘支撑的污染。主电极为铜钨合金材料,设计为平顶圆柱状,以提高烧蚀均匀度和热传导效率,减少电极材料喷溅,延长其寿命。绝缘支撑采用碗状结构,提高了机械强度,增加了沿面击穿距离。该开关工作电压达25 kV,放电电流超过100 kA（脉冲宽度600 μs）,单次脉冲电荷转移量达50 C。实验结果显示该气体开关触发性能稳定,电极表面烧蚀均匀,多次大电流实验后电极表面保持完好,可应用于强激光能源系统。     

福建省第十届大学生结构设计竞赛结构优化分析1)

以增加结构模型承载自重比与实现结构鲁棒性为目标,通过力学计算、有限元分析和实体模型试验,从材料性质、结构选型、杆件截面设计和制作工艺等方面,对结构模型进行了优化分析,提出了准确掌握材料性能和结构受力特点是结构模型优化的前提条件。     

X光二极管实验平台初步设计

采用Marx发生器结合水介质同轴线设计了高压脉冲功率源,在X射线二极管负载上可产生数 MV高压输出。通过电压波过程分析,给出了在负载上获得最大电压输出条件下的形成线、传输线的阻抗设计原则。通过集中参数电路模型分析,给出了一定预脉冲幅值下形成线、传输线电长度及中储设计原则。结合水介质正极性耐压Martin经验公式进行绝缘设计,二极管采用径向均压绝缘堆结构,给出了整个装置初步方案设计。基于Pspice的全系统电路模拟表明：当中储运行电压为2.6 MV时,对3 形成线充电电压为3.3 MV,并最终在40 负载上获得4 MV电压输出,且充电过程中负载脉冲幅值约为形成线充电电压的1.2%,在现有条件下,该平台设计指标能够满足实验预期。     

谈构件

<正>结构是把固体构件组织在一起承力的系统.最常见的构件分为3类:(1)绳、柱、杆、梁这种沿一个方向伸长其他两个维度很小的条状构件;(2)板、壳是两个维度比较大一个维度很小,即比较薄能够覆盖一定面积的构件;(3)块体构件,即构件的3个维度大小相差不远的构件.这是从结构分析的角度来考虑的,对不同类构件的力学分析形成了不同的结构力学学科.由于第1     

闪光机回流离子效应及抑制方法

采用束包络方程分析了单脉冲和多脉冲情况下回流离子对强流相对论电子束聚焦的影响。分析结果表明,单脉冲情况下通过缩短焦距,仍可以获得较小的积分焦斑,而在多脉冲情况下回流离子将导致电子束完全散焦。通过数值模拟和实验研究了利用薄膜阻挡回流离子的可行性,对不同薄膜在电子束作用下的温升及动力学行为的模拟结果表明,在1.06 μs的时间尺度内,薄膜虽然发生了不同程度的膨胀,但是仍然有足够的材料可以阻挡离子回流。在神龙一号加速器上,通过法拉第筒测量了靶前放置和不放置薄膜情况下的离子信号,实验证实了薄膜至少能够将离子约束在薄膜和转换靶之间长达数十μs。