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981.
982.
983.
为满足中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)工程材料衍射谱仪的探测器需求,CSNS探测器组设计并研制了基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的闪烁体探测器。本工作针对该探测器,选取了Sensl MicroFJ-30035-TSV和Hamamatsu S13363-3050NE-16两种型号的SiPM,开展了其击穿电压、增益、温度特性、暗计数率等关键性能的测试。测试结果显示,两者单光子分辨能力,增益、暗计数率等性能均可满足当前闪烁体探测器需求,相同过偏压下,前者增益高于后者,且Hamamatsu SiPM增益对温度更敏感。测试了两SiPM的温度补偿系数分别为22.0 mV/℃(Sens1)和53.6 mV/℃(Hamamatsu),为后续SiPM温度补偿电路设计奠定了基础。利用研制的探测器工程样机,在CSNS BL09下测试了两种SiPM读出的探测器对2.8 ?中子探测效率分别为76%和68%,为目标探测器及同类型探测器的SiPM选型提供了参考。 相似文献
984.
985.
986.
The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing vertical- cavity surface-emitting laser (VCSEL) optical output power. However, in a VCSEL with a larger aperture, the inhomogeneity in the injected current often causes inhomogeneous or even no emission. To solve this problem and to increase VCSEL output power, as well as to improve its thermal characteristics, we develop a new type of injected VCSEL with a larger aperture and a reticular electrode, where the conventional circular injection electrode of the P side is turned into a reticular one, and the heat sink is on the N side. The tests of the new VCSEL show an improvement in homogeneity in not only the injected current but also the emission intensity. The optical output power is also considerably increased, and the device optoelectronic performance is improved. 相似文献
987.
报道了软X光能诺仪探别元件的能量响应曲线标定工作.实验利用北京同步辐射装置-3W1B束经及反射率计靶室,在束流40—80mA、贮存环电子能量2.2GeV专用光运行模式下,在150—1500eV能区的四个能段,做了铝阴极X射线二权管、滤光片及擦入射平面反射镜能量响应标定实验,通过实验数据比对及分析,最终给出X射线二极管在不同能量段最大可能的测量误差范围。 相似文献
988.
对脉冲功率技术驱动的爆聚等离子体过程进行了物理分析,在5%的偏差范围内,得到了和数值计算结果相一致的近似解析公式。计算结果表明,功率在3—4TW,输出电能300—400KJ,技术指标类似PITHON的加速器可以使质量为200—400μg的Kr气爆聚压缩成高温等离子体柱。 相似文献
989.
本文在概述YAG激光晶体材料消光比和侧向散射系数测量的同时,提出了前向散射系数的测量、计算和处理方法。介绍了利用微机进行数据采集、统一处理,给出上述诸参数测量结果的自动化测量手段。 相似文献