全文获取类型
收费全文 | 2712篇 |
免费 | 1551篇 |
国内免费 | 1062篇 |
专业分类
化学 | 1220篇 |
晶体学 | 73篇 |
力学 | 260篇 |
综合类 | 74篇 |
数学 | 158篇 |
物理学 | 3540篇 |
出版年
2024年 | 37篇 |
2023年 | 102篇 |
2022年 | 129篇 |
2021年 | 120篇 |
2020年 | 83篇 |
2019年 | 116篇 |
2018年 | 67篇 |
2017年 | 81篇 |
2016年 | 108篇 |
2015年 | 120篇 |
2014年 | 235篇 |
2013年 | 221篇 |
2012年 | 170篇 |
2011年 | 207篇 |
2010年 | 202篇 |
2009年 | 251篇 |
2008年 | 268篇 |
2007年 | 256篇 |
2006年 | 263篇 |
2005年 | 230篇 |
2004年 | 243篇 |
2003年 | 185篇 |
2002年 | 213篇 |
2001年 | 191篇 |
2000年 | 139篇 |
1999年 | 121篇 |
1998年 | 140篇 |
1997年 | 120篇 |
1996年 | 136篇 |
1995年 | 120篇 |
1994年 | 94篇 |
1993年 | 65篇 |
1992年 | 68篇 |
1991年 | 64篇 |
1990年 | 51篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 12篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 5篇 |
排序方式: 共有5325条查询结果,搜索用时 46 毫秒
61.
62.
63.
主要讨论了不含k-C-圈的n阶r-一致超图,对不同的k,分别得出了它的极大边数的一个下界,并且得出在有些情况下它的下界是最大的.另外,我们得到了Krn含k-C-圈的一个充分必要条件. 相似文献
64.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
65.
研究了频率随时间变化的压缩态光场与二能级原子的相互作用,主要讨论了光场频率随时间作正弦调制和脉冲调制两种典型情况下,原子布居数反转随时间的演化特性。当光场频率随时间作正弦调制时,不仅光场频率调制,而且压缩态的压缩系数和压缩相位均对原子布居数反转的崩塌—回复过程有影响。当光场频率随时间作脉冲调制时,在原子布居数反转随时间演化过程中诱导出新的崩塌—回复过程,尤其在脉冲出现的区间内,原子布居数反转表现出持续的小幅快速振荡,这与压缩态的压缩系数无关。 相似文献
66.
研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性(MFS),发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同,充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。 相似文献
67.
三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
68.
69.
本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。 相似文献
70.