13.5—14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的⁷⁶Ge(n,2n)⁷⁵Ge, ⁷⁰Ge(n,2n)⁶⁹Ge, ⁷⁰Ge(n, p)⁷⁰Ga, ⁷²Ge(n,p)⁷²Ga, ⁷³Ge(n,p)⁷³Ga, ⁷²Ge(n,α)^69mZn和⁷⁴Ge(n, α)^71mZn的反应截面值. 中子注量用⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)⁴He反应获得. 同时还列举了已收集到的文献值以作比较.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

交换自同构群的若干结果

借助于环论的方法研究了具有交换自同构群的有限群,提出了一种新的自同构构作技术,并用之证明了这样的非交换有限群具有非循环的中心子群,以及其每个极大子群的中心子群也都非循环.     

有限步扩散反应置限分形聚集

综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时，反应概率P及粒子扩散步数W的影响，提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型，模拟得到一系列典型的聚集生长图形，计算了相应的分形维数.结果表明，在粒子浓度n较小时，呈离散团簇状生长；而在粒子浓度较大时，则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大，从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长. 关键词：     

外珠除法

算盘所有档上的算珠，全部靠框不靠梁叫空盘。空盘表示算盘里没有记数。从这个定义可知；空盘时，所有的算珠都靠框，以梁为中心，靠梁珠表示数，靠框珠没有表示数。如果我们“反其道而行之”，即算所有的档上的算珠，全部靠梁不靠框叫“空盘”。空盘表示算盘里没有记数。从这个定义出发，则也以梁为中心，靠框珠表示数，     

手性噻唑烷-铑(I)配合物催化的苯乙酮不对称硅氢化反应

由L-半胱氨酸甲酯与α-吡啶甲醛缩合制备了2-(α-吡啶基)-4-羧甲基-1, 3-噻唑烷手性配体。用该手性配体与[Rh(COD)]2反应原位生成的Rh(I)配合物为催化剂进行了苯乙酮的不对称硅氢化反应。反应的化学产率达91%, 光学产率达82.1%e.e.。考察了各种反应条件对催化剂性能的影响。