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921.
对发散光束抽运的光参量啁啾脉冲放大器的增益带宽进行了系统的理论研究.采用空间傅里叶变换和四阶Runge-Kutta算法,分别模拟了非衍射极限情况下的高斯光束和空间频谱为矩形的发散光束作为抽运光时的增益曲线.结果表明:不管是在可见光或是在近红外光谱区,用发散光束均可以明显地改善光参量啁啾脉冲放大系统的增益带宽.选取合适的发散角和抽运光强,可以获得高增益、宽谱带的信号光输出.
关键词:
光参量啁啾脉冲放大
增益带宽
发散角
高斯光束 相似文献
922.
采用丝网印刷和涂敷方法制备了两种碳纳米管阴极,并研究了两种阴极的强流脉冲发射特性,表征了阴极表面碳纳米管的形貌及分布.研究结果表明在脉冲宽度为100 ns、电压为1.64×106 V的脉冲电场下,涂敷法制备阴极的场发射电流最高达5.11 kA,最高发射电流密度达260 A/cm2.丝网印刷法制备阴极的场发射稳定性优于涂敷法制备阴极,但其发射电流低.阴极表面发射体的形貌与分布影响了阴极的脉冲发射性能.碳纳米管阴极的脉冲发射机理为爆炸电子发射.碳纳米管阴极可以作为强
关键词:
碳纳米管
阴极
脉冲发射
强电流 相似文献
923.
为了实现光阴极光谱响应向短波延伸,分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理,提出了准禁带宽度的概念,讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律,计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份,做出了宽光谱响应像管,并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比,发现:所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸,而且理论设计与实验结果吻合很好。 相似文献
924.
讨论了低压微位移驱动电路及控制方法在光电轮廓仪上的运用。采用低压驱动电路驱动压电陶瓷相移器对参考光束进行相移,从而使仪器质量减轻、体积缩小、成本降低。在运用该电路时,为了解决压电陶瓷低电压区非线性误差大的问题,用PC计算机控制压电陶瓷上所加电压的电压值,由摄像头摄取图像并计算出干涉条纹的间隔,然后由PC计算机修改压电陶瓷上所加的电压值,直至干涉条纹相位差达到要求值。该方法的优点是:可消除压电陶瓷低压区的非线性误差,使得开环电路得到闭环的效果;可降低机械零部件的装配难度。 相似文献
925.
926.
对轴棱锥产生的贝塞尔光聚焦特性的描述,我们提出一种有别于惠更斯-菲涅耳衍射积分理论的解析表达.这种解析表达基于干涉理论的基础,它能够模拟计算出聚焦透镜置于最大准直距离之外以及在聚焦透镜焦平面以后的光束行为,能够更好地描述bottle beam的形成过程,这些结果用衍射积分理论是得不到的.我们还得到了与Wei用几何光学分析所得出的当z0max将产生hollow beam的不同结论.所有理论计算结果都得到实验的有力验证.
关键词:
bottle beam
贝塞尔光
轴棱锥
光镊 相似文献
927.
928.
929.
小极化子(Nb4+Li)荧光处于700—950 nm谱段,对不同化学还原程度同组分的纯铌酸锂晶体的研究表明荧光的强度反映了化学还原程度的强弱.从小极化子浅层能级出发,提出以“1中心3级态跃迁”来描述小极化子的受激荧光过程.钛扩散铌酸锂光波导(Ti:LiNbO3)表面还原程度的均匀性可能在波导制造的热扩散过程中被破坏.在对铌酸锂波导表面、深部的扫描结果中,荧光的强度呈现出表面与深部、波导内与外的差异,表面的强度是深部的6—8倍.研究表明,利用非损伤性的极化子荧光谱,对加工过程热处理进行检控是非常有效的.同时,波导内与外的荧光强度差异间接反映了波导的横切面的外形. 相似文献
930.
制备了纳米晶ZrO2∶Er3 发光粉体,所制备的粉体室温下具有Er3 离子特征荧光发射,主发射有蓝光和绿光两部分,其中位于406,474nm的蓝光较强。对不同煅烧温度下所制备的样品研究表明:因不同温度下所制得样品的晶相不同,绿光区的发光中心也不同。当四方相和单斜相达到一定的比例时,发光最强。同时观测到Er3 离子的上转换发射(包括绿光和红光两部分)。讨论了上转换发射的跃迁机制,976nm激发下的上转换过程是双光子过程。荧光强度与Er3 的掺杂浓度关系研究表明,Er3 在ZrO2中有浓度猝灭现象,最适宜掺杂浓度的原子数分数为0.9%(Er3 /Zr4 )。 相似文献