Sc^＋18离子1s^23d-1s^2nf的跃迁能和偶极振子强度

用全实加关联方法计算了类锂Sc^＋18离子1s^23d-1s^2nf（4≤n≤9）的跃迁能和1s^2nf（n≤9）态的精细结构，依据量子亏损理论确定了该Rydberg系列的量子数亏损，用这些作为能量的缓变函数的量子亏损。可以实现对任意高激发态（n≥10）的能量可靠的预言，利用在计算能量过程中确定的波函数，计算了Sc^＋18离子1s^23d-1s^2nf的偶极跃迁在三种规范下振子强度；将这些分立态振子强度与量子亏损理论相结合，得到在电离阚附近束缚态，束缚态跃迁振子强度以及束缚态．连续态跌迁振子强度密度，从而将Sc^＋18离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域。     

Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO₄)₂(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析，结果表明，分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相，抑止了实验中的挥发问题；所生长的晶体为β-Yb:KYW，计算其晶格常数为a=1.063nm，b=1.034nm，c=0.755nm，β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱，结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰，计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词： Yb:KYW TSSG法 晶体结构 光谱参数     

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

针对VO₂薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压，先获得成分接近VO₂的非晶化薄膜，再在400℃空气中氧化退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的VO₂薄膜，电阻温度系数约为-4%/℃，薄膜方块电阻为R_□为100—300kΩ；薄膜在室温下沉积，400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词： 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法     

谐和与随机噪声联合作用下Van der Pol-Duffing振子的参数主共振

研究了Van der Pol-Duffing振子在谐和与随机噪声联合激励下的参数主共振响应和稳定性问题。     

用Riccati变换求解同调谐振子

利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数 关键词： 同调谐振子 本征值谱 Riccati变换法     

类钠CrⅩⅣ-FmXC离子3s2S1/2-3p2P1/2,3/2的跃迁计算

用多组态HFR方法系统地计算了高剥离类钠CrⅩⅣ-FmXC离子(Z=24～100)单电子组态的能级,相应谱线的跃迁波长,跃迁概率和振子强度.在已有实验的基础上,用自编的Fortran程序对HFR计算的3p2P1/2,3/2能级结果进行了最小二乘拟合计算.从而预测计算了CrⅩⅣ-FmXC离子3s2S1/2-3p2P1/2,3/2跃迁的谱线波长.计算结果与已有的实验值均符合得很好,尤其是与最近测量的实验值相当一致;而与其他理论预测值也基本吻合.     

(111)择优取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的制备及研究

选用不同浓度的Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃溶胶，用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO₂/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ (PZT52)过渡层，经400℃烘烤、550℃退火等程序后，再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O _{关键词： PZT铁电薄膜 择优取向 过渡层 剩余极化强度}     

可集成量子计算中的非近邻相互作用

我们研究一维自旋1／2链中的非近邻相互作用的影响。和近邻相互作用相比，非近邻的相互作用强度一般会较弱，因而在以前的许多方案中，这种长程的相互作用被忽略了。本文首先估计由被忽略的非近邻相互作用所引起的量子逻辑门的误差。我们得到的结果是，这项误差不仅和非近邻相互作用的强度有关，更依赖于一维自旋链所包含的粒子数，忽略非近邻相互作用有可能会对可集成量子计算造成影响。我们进一步研究如何消除或者压缩这种长程的相互作用所造成的影响。我们提出了一个量子计算方案。在这种方案中，次近邻的相互作用的影响被完全消除，从而我们可以使量子逻辑门的精度得以提高。我们也讨论了这种方案在超导量子计算体系里面的物理实现问题。