多小波子空间上的单小波表示

本文在较弱的条件下,建立了2重多小波子空间与单小波子空间的关系.即由2重多小波构造出单小波.一方面,这种单小波的平移伸缩与2重多小波的平移伸缩生成的子空间是完全相同的;另一方面,它具有插值性.因此通过构造出的单小波建立了多小波子空间上的Shannon型采样定理.     

Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal

LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti： LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively： The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^＋ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4＋-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.     

完备可分度量群上的齐次Levy过程的复合Poisson逼近

该文利用算子半群的方法给出了取值于具有左不变度量的完备可分群的齐次Levy过程是复合Poisson过程的弱极限这一结论．     

二茂铁衍生物L—B膜修饰铂电极的电化学性能

本文研究了单取代硬脂酸二茂铁酯、双取代亚麻酸二茂铁酯、单二茂铁酸十八酯和双二茂铁酸十八酯四种二茂铁衍生物Ｌ－Ｂ膜修饰铂电极的循环伏安行为，用理论模型模拟了归一化峰面积，峰电位差随扫描速度变化的规律，以及分子相互作用能与半高宽的关系，将实验结果与理论模型的模拟结果进行比较，求得了Ｌ－Ｂ膜的层间电荷转移速度常数，Ｌ－Ｂ膜与电极之间的电荷转移速度常数，分子作用能及半峰电位等参数，并比较了四种二茂铁衍生物     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

保健酒中淫羊霍苷成分的分析研究

采用高效液相色谱法对某保健酒中淫羊藿苷成分进行分析研究,结果表明,保健酒中淫羊藿苷的平均含量为0.627％,平均回收率为98.1％,相对标准差（RSD）为2.1％.本分析方法也适用于其他保健酒、药材和药品中淫羊藿苷成分的分析测定.     

横向放大率法确定复合光学系统的基点

介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件（CCD）测量物经光学系统成像的横向放大率，提高了测量精度。     

等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。