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利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
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微通道板及其发展趋势 总被引:2,自引:1,他引:1
回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况. 相似文献
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在三角函数的和差化积与积化和差的教学中,大多数教师可能注意到这么一道计算题:求tgπ7tg2π7tg3π7的值或证明:tgπ7tg2π7tg3π7=7.近日在教学中碰到一题:求证:tgπ5·tg2π5=5;结合tgπ3=3,使我大胆猜想:对n∈N,有... 相似文献
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本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明:当Z很小时,经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大;当Z很大时,经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。 相似文献
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本文介绍利用景深短、高倍率、大口径的物镜,采用光学方法,对被测透镜上下表面调焦,从而测定其中心厚度的一种新方法,并对测量误差进行了探讨。 相似文献