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101.
一种新型有机电致微腔结构的双模发射 总被引:4,自引:4,他引:0
采用结构Glass/DBR/ITO/NPB/NPB:Alq/Alq/Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层,为了便于对比,在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件,发现两种器件的发光光谱有很大不同,器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高,这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒,提高器件的复合效率,从而提高了器件的发光性能,实现了微腔双模发射,且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。 相似文献
102.
FUYun-Liang WUYing-Cai YUANYi-Fang CHENBao-Xue 《中国物理快报》2004,21(7):1292-1293
Based on the Raman spectrum measurement, we investigate the mechanism of proton exchange, by which the optical waveguides are formed in the LiNbO3 crystal which are proton doped. The proton source is formed by a mixture of benzoic and adipic acids. The experimental results show that there is a Raman formant peak of optical waveguide at 650cm^-1, and the higher the relative percentage of the mol ratio of adipic acid dilution, the higher the intensity of the Raman formant peak. 相似文献
103.
日本高科技协会,于1996年11月6日-8日在美国夏威夷火努鲁鲁的日本东海大学太平洋中心组织召开了稀土超磁致伸缩材料基础和应用研究的国际会议.超磁致伸缩材料GMM(GiantManetostrictiveMa.tenals)为稀土元素钛Tb(Terbium)、镐Dy(DysPro-sium)和铁Fe的合金化合物,其基 相似文献
104.
利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7∶Eu2 (0·2%),Dy3 (8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2 :5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3 :4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2 的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3 的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7∶Eu2 ,Dy3 中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2 充当空穴陷阱的可能性。 相似文献
105.
106.
研究了结晶度对Ag11In12Te26Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化,改变晶化参量得到不同的结晶度,当转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数先是增大,而后减小;当激光功率固定时,随转速的增大,折射率也随之增大,消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化(包括晶型的转变和原子间键合状态的变化)以及薄膜内残余应力的影响Ag11In12Te26Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD-RW相变光盘中Ag11In12Te26Sb51薄膜非晶态和晶态的反射率。 相似文献
107.
108.
Solutions for a Mode Ⅲ Growing Crack in a Piezoelectric Plane Under Two Kinds of Electric Boundary Conditions * 下载免费PDF全文
The solutions for a mode Ⅲ crack growing along an arbitrary propagation path in a piezoelectric plane are studied under the impermeable surface condition and the electrical contact surface condition respectively. According to the two kinds of electric boundary conditions, the Hilbert and Riemann boundary value problems in a half-plane including opening smooth arc are obtained from the theoretical analysis. Moreover, the equipollence of the solution formed under these two electric boundaries is proved, and unified solutions for the stress and electric displacement distribution in the crack-tipfield of the piezoelectric plane are achieved. 相似文献
109.
High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well 下载免费PDF全文
XIEWen-Fa LIChuan-Nan LIUShi-Yong 《中国物理快报》2003,20(6):956-958
The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V. 相似文献
110.
Stopband phenomena are reported in the passband of left-handed metamaterials. The samples with linear defect are designed by removing one layer of split ring resonators (SRRs). It is shown that the left-handed transmission peaks have a distinct transform with the relative deviation of the SRRs centre from the wire centre 8, from a single left-handed peak, double left-handed peaks with different magnitude to no transmission peak, i.e. left-handed properties of metamaterials disappear. Numerical simulation shows that the change of 8 makes the effective permeability shift at a frequency range, where stopband occurs. It is thought that the stopband in left-handed passband is due to the symmetry breaking between SRRs and wires in the metamaterials. 相似文献