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21.
22.
由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。 相似文献
23.
Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films (Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50) for Phase Change Memory 总被引:1,自引:0,他引:1
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The multiple-state storage capability of phase change memory (PCM) is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents. 相似文献
24.
电磁加载下的高能量密度物理问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
1物质的高能量密度状态文中所述的高能量密度状态是指物质由于受到外界能量输入或自身能量转换,使其内能增大而造成的高压力、高密度和高温度状态。能量的体积密度的量纲等同于压力的量纲,由此可知内能增加量为1MJ/cm3时,物质内部的压力约为1TPa量级。通常认为在高能量密度状态下,固体物质的可压缩性应有显著影响,气态物质应达到接近极限压缩的程度,相当于0.1TPa或0.1MJ/cm3的内能密度。密度为0.01g/cm3的物质被加热到100eV,其压力则为0.1TPa,对氢气而言比能量约10MJ/g。高能炸药PBX-9404的化学反应能密度约为0.0096MJ/cm3,爆压为36… 相似文献
25.
本文用超声相比较方法测定了高Tc超导体La1.85Sr0.15CuO4,La2CuO4和YBa2Cu3O7的纵波和横波声速,进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La1.85Sr0.15CuO4样品上,还进行了压力实验,发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热cV和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。 相似文献
26.
现在,整个教育界都在提倡创新教育和自主探究式学习.笔者曾经尝试着在课堂上渗透让学生自主学习的思想,努力创设情景给学生多一些创新的机会,允许并鼓励他们在课堂上提出自己的看法.但课堂教学,特别是在目前仍受考试压力影响的高中课堂中,教师和学生依然面临着升学压力.无奈的现实很难在课堂上落实这些“理念”.毕竟学生这么多、课时这么少、教学任务又如此之重,作出一个教学决定又要考虑方方面面的因素, 相似文献
27.
28.
自旋交叉配合现象与分子电子器件 总被引:2,自引:0,他引:2
自旋交叉配合物在热、压力或光诱导自旋交叉现象的同时会伴随着其它一些协同效应,比如配合物颜色的改革、存在着大的热滞后效应等,这些协同效应是单个分子或分子集合体作为热开关、光开关和信息存储元件材料的基础。因此,自旋交叉配合物是开发新型的热开关、光开关和信息存储元件材料的理想分子体系。本文概述了自旋交叉现象的研究历史、现状和未来的发展趋势。讨论了影响配合物自旋交叉性质的各种内在的和外部的因素,总结了目前用于研究自旋交叉现象的各种现代测试技术。最后,展望了自旋交叉配合物在分子电子器件方面的应用前景。 相似文献
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30.
采用分子量500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质P(EO)n-CuBr2薄膜,并在0.1~300MPa范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱,分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系.进一步解谱准确地求出P(EO)n-CuBr2(n=12、16)薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应,并结合X-光物相分析,根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论.添加20%的增塑剂碳酸丙烯酯,较大改进了压力下的导电性.120~300MPa的离子电导率提高一个数量级 相似文献