也谈均匀带电细圆环的电场分布

用Mathematica研究均匀带电细圆环的电场的空间分布,准确地绘制出电场强度量值的分布图和电场方向的分布图,并纠正了最近文献中一幅场强量值分布图的失误.     

极性分子型电流变液

电流变液在电场作用下软硬连续可调的奇特性质具有广泛和重要的应用价值。传统电流变液是基于颗粒极化产生的相互作用,根据介电理论预测,其剪切屈服强度的上限约为10 kPa。电流变液被发明50年来,阻碍其应用的主要原因是剪切强度低。近年来发明的“极性分子型电流变液”是一类新型电流变液,其屈服强度比传统电流变液大一个数量级以上,且与电场强度呈线性关系,这一点和传统电流变液中的平方关系也明显不同。文章作者提出了极性分子在颗粒间强局域电场中的取向并与极化电荷作用的模型,成功地解释了观察到的实验现象。根据这一原理,有可能制备出屈服强度高达MPa的电流变液。     

调制器低偏置方案优化光电振荡器相位噪声

提出了采用调制器低偏置方案来降低光电振荡器(OEO)的相位噪声方案并得到了实验验证.调制器的大光功率注入与低偏置点设置能够降低噪信比,进而降低输出信号的相位噪声.实验证明,当60 mW光功率注入时,在低偏置点能得到相噪的最低值,该值比正交偏置点对应的相噪值下降了2.8 dB.     

40Gbps NRZ在基于宽带CFBG色散补偿的G.652光纤中无电中继传输500km

在基于宽带CFBG色散补偿的G.652光纤中,40Gbps NRZ码无电中继传输500km,在误码率BER=10(-10)下的功率代价约为2.2dB,积累1h的误码率为7.3×10(-12).传输系统中采用的CFBG的3dB带宽约为1.2nm,中心波长处时延纹波小于25ps,反射谱纹波小于2dB,差分群时延小于1ps....     

Breakdown voltage analysis of Al0.25Ga0.75N/GaN high electron mobility transistors with partial silicon doping in the AlGaN layer

In this paper,two-dimensional electron gas（2DEG） regions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors（HEMTs） are realized by doping partial silicon into the AlGaN layer for the first time.A new electric field peak is introduced along the interface between the AlGaN and GaN buffer by the electric field modulation effect due to partial silicon positive charge.The high electric field near the gate for the complete silicon doping structure is effectively decreased,which makes the surface electric field uniform.The high electric field peak near the drain results from the potential difference between the surface and the depletion regions.Simulated breakdown curves that are the same as the test results are obtained for the first time by introducing an acceptor-like trap into the N-type GaN buffer.The proposed structure with partial silicon doping is better than the structure with complete silicon doping and conventional structures with the electric field plate near the drain.The breakdown voltage is improved from 296 V for the conventional structure to 400 V for the proposed one resulting from the uniform surface electric field.     

应用双面电极的PLZT横向电光调制器电场的精确解

使用保角变换方法导出了横向电光调制器中双面电极结构的电场和电容的解析表达式，给出了用于ＰＬＺＴ电光陶瓷介质中二次电光效应分析的电场分布的物理图像。通过计算对比表明，双面电极结构电极边级区域由于过剩双折射引起的强度调制非均匀性较单面电极有所改善。     

高温超导体电场穿透对电子能谱的影响

高温超导体在场致发射时伴正常态部分的空穴的产生，会出现非平衡现象。这引起超导体电子平衡态的化学势偏移，增加了外电场在ＨＴＳＣ材料体内的穿透深度，使导带底弯曲引起超导体场致发射电子能谱的改变。     

静电场与涡旋电场无限大平面的电通量

讨论了静电场和涡旋电场在无限大平面上的电通量。提出了关于涡旋电场无限大平面电通量等于零的假设。     

一类二维时变磁场激发涡旋电场的静电场类比计算

通过二维涡旋电场与二维静电场分布的比较，求解椭圆柱区域磁场随时间变化所激励的涡旋电场的场强转变为求解电场的势，从而使问题简化。     

铁磁/ 反铁磁双层膜中交换偏置

铁磁/反铁磁交换偏置在巨磁电阻器件中具有重要的应用。引起了物理学及材料学等领域内广大科学家的浓厚兴趣，本文首先阐述了交换偏置的基本性质。然后简述了交换偏置的实验研究方法；最后，着重介绍了几种主要的理论模型。