子图识别的层分解方法

子图识别问题(SRP)就是在一个图G中确定并寻找是否存在和另一个图H相同构的子图．本文将引入图的层分解概念，并以此为基础建立识别图的同构子图的算法．该算法的复杂性为O(n(△-1)^k-1)，其中△是图G的度，即G中点的最大度，n，k分别是图G，H的阶．     

投影体与U(P)的极值性质

为了研究著名的Schneider投影问题,E.Lutwak,D.Yang和张高勇最近引进了一个关于对称多胞形的新的仿射不变量U(P),并提出了关于U(P)下界的猜想.本文就二维、三维在一特定条件下的情形给予了此猜想的肯定回答并给出了严格的数学证明.     

带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于085的Si_1-xGe_x合金材料（能带结构为类Si结构）的间接带隙与应变的关系，结 果表明，应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果，提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的. 关键词： SiGe合金 应变 带隙     

Bi2223／Ag带HTS双饼磁体实验

用国产Bi2223／Ag带（西北有色金属研究院提供）设计的中心场3．0T．贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中．磁体由绕组内径150mm．外径272mm的32个双饼磁体组成．磁体在温度T=20K下．设计临界电流Ic=132A．额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验，得到磁体Ic=140A，中心场Bcc=1．14T，相应Bi2223／Ag带上最大轴向场Brmax=1．91T．Bi2223／Ag带上最大垂直场Brmax=1．14T．四双饼组合磁体的实验结果预示：35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到．     

Musielak-Orlicz空间的w*光滑点

Musielak-Orlicz空间是经典Orlicz空间的一种推广，ω^*光滑是Orlicz空间的一种重要几何性质，本讨论了Musielak-Orlicz空间中ω^*光滑点的充分必要条件。     

偶偶核超形变带唯象分析

利用宏观模型对¹⁹²Hg,¹⁹⁴Hg三条超形变带进行唯象分析,提出了从现有实验数据精确决定超形变带自旋的方法.     

稀土变形奇A核^173,175Hf的多准粒子高K转动粒子数守恒分析

用处理推转壳模型的粒子数守恒方法分析了稀土变形奇A核^173,175Hf的3准粒子的5准粒子高K转动带，包括转动惯量，顺排角动量，以及推转Nilsson能级上的粒子填布几率随转动角频率的变化，计算中无自由参数，实验观测结果在计算中得到较好地重现，分析了多准粒子带与相邻偶偶核基态带的转动惯量变化规律不同的微观机制，在这里Fermi面邻近高j闯入态的堵塞效尖起了举足轻重的作用。     

Bergman空间A~p（ψ）中函数之零点

设Ｄ是Ｃ中的单位圆盘及为［０，１）上的正规函数。对于０＜Ｐ＜∞，这样的函数用于定义一个带权为￣ｐ（｜ｚ｜）／（１－｜ｚ｜￣２）的Ｂｅｒｇｍａｎ空间Ａ￣ｐ．本文刻画了Ａ￣ｐ中函数之零点集的结构．作为应用，又给出了Ａ￣ｐ中函数序列插值的条件。     

Harris公式和ab公式对超形变核转动带的适用性的比较

对A≈190区超变形转动带分别用Harris二参数公式和ab公式进行了系统分析.分析结果表明,与正常变形核动带的情况相似,Harris公式与实验有明显的系统偏离,而ab公式则与实验很接近,可以相当精确和方便地描述超变形转动带.