用于开放性实验和演示实验的静电场中的乒乓球

静电场与物质的相互作用，既表现在静电场对物质的影响，也表现在物质对静电场的影响．现在让我们用一个创造性的实验来更进一步了解静电场中的电介质极化和导体静电感应现象．     

牛顿第二定律演示器

用一细长的电镀杆(或用细玻璃管嵌在木条上)作直轨道1,悬挂式小车2正面有一开口,可以取放砝码,下端安一支笔(可用一细笔管安上香烟的过滤嘴或泡沫塑料蘸墨水即可),以便自动记录小车的位置。直轨道的右上方有一个略小于直轨一半长度并可绕一端转动的斜槽轨道3,在后板适当位置做一弧形狭缝,用螺丝可将斜槽固定在所需     

极性晶体外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量

本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量，计算结果表明，利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大，对GaAs，误差约为31.1%, 对ZnO，误差约为14.8%。     

专用软件的硬件化技术

一个专用数据传输、处理系统的全硬件化实现，目标在于掌握基于可编程逻辑器件的硬件设计关键技术，探索用全硬件替代通用CPU加控制电路、软件的软硬结合系统的方法。研究的重点和难点在于怎样实现专用系统软件的逻辑功能的硬件描述，怎样实现软件算法的硬件演化，在计算机中的模拟和验证以及在FPGA中的实现。该系统主要由UART、RAM、积分算法模块和线性多项式计算模块组成。系统参数经由UART传输到RAM中存储以备后续模块取用。采样数据则直接传输到积分算法模块中关系统参数进行运算。线性多项式计算模块对积分模块的运算结，与从RAM中取得的相果和相关系统参数进行多项式运算，得出最终结果输出。     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

低温等离子体在材料表面处理方面的应用和发展

本文简要地介绍了同创材料表面新技术工程中心低温等离子体相关技术在材料表面处理的应用与发展以等离子体产生、离子源技术为基石，大力发展复合离子注入、复合离子沉积及镀膜设备和相关工艺。以离子源、多弧、磁控溅射等核心技术，多元化发展等离子体表面处理设备、产品和工艺。以国家自然科学基金等科研项目为依托，大力推进科研成果向工业和民用产品转化紧跟等高子体技术的国际发展，积极开拓国际市场，推进离子源、等离子体源等技术的标准化和国际化。     

我国低温等离子体研究进展(Ⅰ)

低温等离子体物理与技术的研究在国内受到了越来越多的重视．在等离子体中发现的一些有趣的物理现象，如磁场重联、尘埃等离子体等，使人们对等离子体物理的研究掀起了新的热潮．在应用方面，几乎所有理工类实验室都有涉及低温等离子体技术的实验装置，这使得在我国低温等离子体应用方面的研究非常普及，包括微电子工业中的等离子体工艺，各种坚硬、耐腐蚀、耐摩擦材料的制备，纳米材料的制备，聚合物以及生物材料的表面改性，等等．随着低温等离子体技术的发展，低温等离子体的诊断技术也随之发展起来．文章简要地介绍了近几年来低温等离子体研究在我国的发展，介绍了一些有关低温等离子体的热点研究课题．     

用三次设计方法进行抛撒器的设计

研究抛撒器的运动规律及其对目标的作用,对某些军工产品具有实用价值.目前,对抛撒器的研制,国内外的专业研究单位和厂家都比较重视,但做得还很不够,我们设计的运载抛撒器,在一次重复试验中,就有近五分之一的机构在开舱后没有出现抛撒过程.这说明这种抛撒