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121.
讨论了横向位移双曝光散斑图维纳谱的信息分布,并由此导出杨氏纹图的一般表达式。讨论了条纹可见度与应变,面内转动,照明光束直径与条纹图图空间坐标的关系,指出了在条纹可见度影响下最大可见条纹数目。还讨论了散斑衬比与衍射晕的关系。 相似文献
122.
本文用PC-1500微机以三次多项式拟合的方法处理稀土元素ICP-AES法摄谱数据,讨论了实验方面的有关问题,提出了一套较为简便的实验方法。通过人工合成样分析及磷矿基体中的加料回收实验,证明本法符合实用要求。 相似文献
123.
Optical heterodyne magnetic rotation enhanced velocity modulation spectroscopy was employed to observe the visible absorption spectra of the B^2Σ^+_u-X^2Σ^+_g electronic transition of C^-_2. Four hot bands (0,1), (1,2), (2,3) and (3,4) have been observed and the band (3,4) is measured directly for the first time, so far as we know, by absorption. A rotational analysis was carried out to obtain molecular constants. With the Franck-Condon principle and the vibrational Boltzmann distribution, we have estimated the vibrational temperature of C^-_2 to be about 3000K. 相似文献
124.
给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型. 相似文献
125.
126.
Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4
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Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
127.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
128.
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱,采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大,折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外,呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ
关键词:
PLZT薄膜
红外光学性质
红外椭圆偏振光谱 相似文献
129.
130.
CCD光谱谱线标定方法研究 总被引:9,自引:5,他引:4
CCD作为光谱分析和测色仪器的光谱接收器件 ,光谱谱线定位受单色仪狭缝和CCD光敏元尺寸影响。提出采用最小二乘法做曲线拟合和质心法来确定光谱线在CCD上的精确定位 ,使光谱谱线的定位精度得到提高 ,并且不受CCD光敏元尺寸限制。实验结果表明 ,两种方法对光谱线的定位 ,具有重复性高 ,稳定性好等特点。在定位精度上 ,两者具有一致性。 相似文献