铜电阻和半导体热敏电阻温度特性测量实验设计与实现

传统手动读数据方法和现代数据采集器传感器结合计算机自动测量方法分别对铜电阻、正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻进行数据测量,并且作曲线图.让学生掌握传统和现代测量方法、不同类型仪器使用方法、不同种类热敏电阻随温度变化的规律、非平衡电桥原理以及误差分析.     

容器形状和冻结行为对储能效率影响研究

本文采用计算流体力学分析方法,分析了冰储能过程中水的固-液相变行为和由此产生的自然对流现象的特征.特别地,本文着重研究了安装在冰储能器中的换热器周围的冻结行为和桥接过程对储能效率的影响.为了研究冻结行为和桥接过程中产生自然对流对储能效率的影响,改变了容器的高宽比,并采用椭圆形换热器以促进对流的形成.采用潜热与比热相结合...     

旋转物体温度的非接触检测原理

本文讨论了利用交流电桥作感温部件及旋转变压器原理实验对旋转体温度的非接触检测。     

最小二乘法在铜电阻测量实验数据处理中的应用

文介绍了最小二乘法的原理,给出了用最小二乘法对铜电阻测量数据处理的实例。     

变一次和二次干燥温度对冻干猪主动脉的影响

为了探讨在真空冷冻干燥过程中,干燥阶段温度参数对冻干制品品质的影响,以猪主动脉为研究对象,通过改变一次、二次干燥温度,并结合脱水率、外观形态、力学性能测试等,以期获得最优的温度参数.实验结果表明,当一次干燥温度为-20℃,二次干燥温度为10℃时,冻干样品的综合表现最优.     

温度对聚酰胺-胺树形分子模板法制备CdS量子点的影响

为了研究温度对聚酰胺-胺(PAMAM)树形分子的模板法制备硫化镉(CdS)量子点的影响, 以4.5代(G4.5, 64个甲酯端基)PAMAM树形分子为模板, 在－10～30 ℃的温度范围内制备了分散良好的CdS量子点. 用透射电子显微镜(TEM)表征了CdS量子点的形貌、尺寸; 用紫外-可见光谱(UV-Vis)和光致发光光谱(PL)表征了CdS量子点的光学性能. 发现在相同条件下, 制备温度从－10 ℃升高到30 ℃, CdS量子点粒径从1.8 nm增大到3.4 nm, 其中在10 ℃时制备的量子点的尺寸分布最窄; CdS量子点的吸收和发射光谱均随温度增大而红移, 其中10 ℃时制备的量子点的室温光致发光效率最高. 这表明制备温度决定了树形分子的配位基团与Cd^2＋的分离速度, 并影响了CdS量子点的成核和生长过程, 从而最终决定了CdS量子点的尺寸及尺寸分布、光致发光颜色和发光效率.     

溅射参数对ZnO薄膜物性的影响

采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜.并研究了溅射气压,基底温度,以及氧偏压对ZnO薄膜物性的影响,从而确定了制备ZnO薄膜的最佳溅射条件.     

温敏性聚合物复合体系低临界溶解温度的研究

研究了温敏性N-异丙基丙烯酰胺的均聚物(PNIPAm)及其共聚物P(NIPAm-co-KYD)与十六烷基三甲基氯化铵(CTAC)、乙二胺四乙酸(EDTA)、盐等复配体系的低临界溶解温度(LCST)的变化规律。单因素复配体系中,wEDTA为0.1%时,体系LCST从33℃降低到25℃,增大到0.2%时,LCST下降趋于缓慢;wCTAC在0.5%-3.0%范围内,LCST先上升后下降,但wCTAC在0.5%-1.0%内相转变很不明显,超过1.5%后相转变又趋于明显;而无机盐能使体系LCST线性下降;多因素复配体系中LCST变化较缓和,易于控制且相转变现象明显。     

甲醇常压气相羰基化碳纳米管负载金属镍催化剂

碳纳注管作为一类纳米级新型碳素材料,具有对反应物质和反应产物的特殊吸咐性能、特殊的孔腔空间立体选择性、碳与金属催化剂的金属-载体强相互作用（SMSI）以及管壁的可改性官能团等优点,近年来,已引起国内外学者的广泛关注。……     

退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全晶化的趋势,与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释,认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。