一类平面五次系统的定性分析

本文研究平面五次系统（１．１），应用［４，５］的最新结果，给出了奇点Ｏ（０，０）为中心的充要条件和焦点量公式，以及（１．１）至多有一个，二个极限环的充分条件．     

五象限法声源自动跟踪器

介绍由两同心圆组成的等投影面积五象限声－电测量装置的工作原理。当声波与声－电转换器的主要测象限垂直时，其声波在主要测象限内产生的声－电电压最强。根据声－电电压的变化大小来确定声源的方向，实现自动跟踪。     

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.     

流体静高压下的锂离子导电性

本文改进实验方法,在0.0001—1.23GPa流体静高压下测量了整片非晶锂离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃(x=0.05;0.15)及其粉末压片的离子电导率及激活体积。发现粉末压片电导率峰值是由非晶微粒间的接触电导及非晶微粒体电导两者叠加;对整片非晶电导率的压力效应用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。此外,还观测到氧化铝组分减少使电导率的压力转变点明显降低;测量出不同温度热处理以及300℃等温热处理4—20h后离子电导率-压力曲线的变化规律,仍可归因于非晶态相分离及两种非晶相的先后晶化。 关键词：     

五柱式超导变压器磁路饱和特性分析

磁路饱和现象对变压器的安全稳定运行有很多负面影响。文中从变压器理论出发,重点分析Yyn连接法的三相五柱式铁芯超导变压器在磁路饱和情况下的工作特性,同时建立超导变压器有限元模型精确分析超导变压器的磁场分布特性和感应电动势波形。通过理论与仿真相结合的方法,得到超导变压器与常导变压器磁路饱和特性的不同点,对超导变压器的安全稳定运行提出建议。     

Mechanical and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of SiC_2N_4 under high pressure from first principles

First principles calculations are preformed to systematically investigate the electronic structures, elastic and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of Si C2N4 under pressure. The calculated structural parameters and elastic moduli are in good agreement with the available theoretical values at zero pressure. The elastic constants of the two phases under pressure are calculated by stress–strain method. It is found that both phases satisfy the mechanical stability criteria within 60 GPa. With the increase of pressure, the degree of the anisotropy decreases rapidly in the monoclinic phase, whereas it remains almost constant in the orthorhombic phase. Furthermore, using the hybrid density-functional theory, the monoclinic and orthorhombic phases are found to be wide band-gap semiconductors with band gaps of about 2.85 e V and 3.21 e V, respectively. The elastic moduli, ductile or brittle behaviors, compressional and shear wave velocities as well as Debye temperatures as a function of pressure in both phases are also investigated in detail.     

一种计算多导体传输线电磁脉冲响应的时域方法

基于波形松弛技术, 提出一种计算外界电磁脉冲激励下理想大地上无损多导体传输线瞬态响应的时域迭代方法。首先利用波形松弛技术对复频域内多导体传输线的电报方程进行解耦, 其中相邻导线的耦合作用等效为线上的分布源, 从而使电报方程转换为一系列关于独立导线的解耦方程组; 然后将复频域内传输线的解耦方程转换到时域, 根据时域方程建立相应的等效电路; 最后利用电路仿真软件PSCAD计算电磁脉冲激励下多导体传输线的瞬态响应。本文时域方法的计算结果与时域有限差分(FDTD) 法计算的结果进行对比, 证实了该时域方法的有效性和准确性, 这为工程和科研人员快速评估、分析电磁脉冲激励下多导体传输线的瞬态响应问题提供了一种可靠方法。     

具有本征低晶格热导率的硫化银快离子导体的热电性能

硫化银(Ag_2S)是一种典型的快离子导体材料,前期关于Ag_2S的研究主要集中在光电和生物等领域.最近的研究表明, a-Ag_2S具有和金属一样的良好延展性和变形能力.但是, Ag_2S的热电性能尚无公开报道.本工作合成了单相Ag_2S化合物,系统研究了其在300—600 K范围的物相变化、离子迁移特性和电热输运性质.研究发现, Ag_2S在300—600 K温度区间表现出半导体的电输运性质.由于单斜-体心立方相晶体结构转变, Ag_2S的离子电导率、载流子浓度、迁移率、电导率、泽贝克系数等性质在455 K前后出现急剧变化.在550 K, Ag_2S的功率因子最高可达5μW·cm~(–1)·K~(–2). Ag_2S在300—600 K温度区间均表现出本征的低晶格热导率(低于0.6 W·m~(–1)·K~(–1)). S亚晶格中随机分布的类液态Ag离子是导致b-Ag_2S体心立方相具有低晶格热导率的主要原因.在573 K, Ag_2S的热电优值可达0.55,与Ag_2Se, Ag_2Te, CuAgSe等已报道的Ag基快离子导体热电材料的性能相当.     

A percolation study of RTS noise in deep sub-micron MOSFET by Monte Carlo simulation

Based on percolation theory and random telegraph signal (RTS) noise generation mechanism, a numerical model for RTS in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was presented, with which the dependence of Tc/Te (where Tc=capture time, Te=emission period ) on energy levels and trap depth with respect to the interface of traps can be simulated. Compared with experimental results, the simulated ones showed a good qualitative agreement.     

利用Tanh方法产生的(2+1)和(3+1)维非线性可积方程的精确解

主要利用Tanh函数方法,对两个高维五阶非线性可积方程进行了讨论,通过行波约化,分别将(2+1)和(3+1)维非线性可积方程转化为常微分方程.结合Riccati方程的性质,分别得到关于若干参变量的代数系统,借助于Mathematica软件符号运算功能,最终得到了上述两个高维方程的精确解.