电像法求解线电荷与带有半圆柱凸起的接地平板导体形成的电势和电场

利用电像法求解了线电荷与带有半圆柱凸起的接地导体平板形成的电势、电场分布,讨论了导体表面电荷分布特征,并用Matlab软件绘出了等势图.     

对一道静电计相关易错题的深入分析

1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究     

JGT-5型超声波钢轨探伤车

上海超声波仪器厂与郑州铁路局共同研制的JGT-5钢轨探伤车,是一种智能化,数字化并配有手推车的专用超声探伤设备。它有五个通道,能同时用超声脉冲反射法和穿透法进行探伤,各通道都配有定量衰减器,而且能用数字直接显示伤损位置,适用于全面探测各种钢轨的核伤、螺孔裂纹、轨腰的水平和纵向裂纹及焊缝裂纹等各种伤损。     

导体表面的电荷分布

关于导体表面的电荷分布，部分普物教材和一些学者对此作过定量的计算和理论上的探讨，其中罗恩泽提出了导体表面电荷密度按表面曲率的分布函数理论．本文对罗恩泽的理论提出异议．笔者认为，赵凯华、戴显熹等人对此问题的论述是全面、正确的. 但他们的论述是定性的，本文对此作一些定量补充     

物理信息神经网络求解五阶emKdV方程的正反问题

该文利用物理信息神经网络(PINNs)对扩展的五阶mKdV (emKdV)方程的正反问题进行求解,并对孤子的动力学行为进行分析、模拟.针对正问题,选用双曲正切函数tanh作为激活函数求解方程的一、二、三孤子解,并将PINNs方法求得的数据驱动解与借助简化的Hirota方法给出的方程精确解进行比较,一孤子解的精度为O(10^-4),二、三孤子解的精度为O(10^-3).针对反问题,分别由一、二、三孤子解的数据进行驱动求解方程的两个待定系数,并在不同的噪声下探究算法的鲁棒性.当在训练数据中加入1%的初始噪声或观测噪声时,待求系数的预测精度可分别达到O(10^-3)和O(10^-2);当加入3%的初始噪声或观测噪声时,预测精度依然可以达到O(10^-2);由实验数据分析可知观测噪声对PINNs模型的影响要略大于初始噪声.     

MgxZn1-xO结构性质

采用第一性原理计算模拟了不同组分的Mg_xZn_1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,Mg_xZn_1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。     

氧离子导体La1.95K0.05Mo2-xMnxO9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

NASICON型化合物结构的NMR研究

在水热晶化合成一系列NASICON型化合物的基础上,应用固体高分辨³¹P和²⁹Si MAS NMR,研究了几种NASICON化合物的结构,观察其骨架原子P和Si在结构中的状态及分布,并解释了由于在结构中发生取代作用而引起,Si或P的化学位移的变化.     

非晶态锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5的电学性质和电子自旋共振研究

对两种非晶态B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃-0.1V₂O₅(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V₂O₅不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B₂O₃-Li_{2关键词：}