一个求解特殊加权线性互补问题的预估校正光滑牛顿法

本文研究特殊加权线性互补问题的求解方法.我们利用一个带有权重的光滑函数将问题转化成一个光滑方程组,然后提出一个预估校正光滑牛顿法去求解它.在适当条件下,我们证明提出的算法具有全局和局部二次收敛性质.特别地,在解集非空的条件下,我们证明价值函数点列收敛到零.数值试验表明算法是有效的.     

一类非单调二阶锥互补问题解集的非空性与有界性

本文在二阶锥上引入一类新的映射,称之为笛卡尔P_*(κ)映射,它是单调映射的推广.文中讨论涉及这类映射的二阶锥互补问题的解的存在性和解集的有界性.主要结论为:如果所考虑的互补问题是严格可行的,那么它的解集是非空有界的.     

一类线性互补问题解存在性判断的区间方法

利用目标函数的区间斜量,以Miranda定理为理论依据,将Moore-Kioustelidis定理推广到不可微情况,提出了一类线性互补问题解存在性判断的区间方法,给出了具体实例,表明这种判断方法是有效的.     

广义F-互补问题及其与变分不等式问题的等价性

在Banach空间中引入了一类广义F-互补问题,研究了它与一类变分不等式问题的等价性关系,给出了此类变分不等式问题的解的存在唯一性定理.     

Abel分部求和法与基本超几何级数变换

利用修正的Abel分部求和引理,系统研究基本超几何级数的部分和,建立一些关于列平衡、二次、三次以及四次基本超几何级数的变换公式和求和公式．     

一个求解对称锥互补问题的具有非单调线搜索的光滑算法的全局收敛性

提出一个求解单调对称锥互补问题（简记为SCCP）的具有非单调线搜索的光滑算法,并且证明提出的算法在所求解问题的解集非空的条件下是全局收敛的.这样的假设比现有的大多数求解对称锥优化问题的算法中所使用的假设都要弱.最后在适当的条件下,证明所提算法得到的解是一个极大互补解.     

线性互补问题基于模同步块多重分裂方法的收敛性

通过利用不动点迭代来研究线性互补问题,根据基模同步多重分裂迭代方法将其线性互补问题的系数矩阵是点的形式推广到块H+的形式,并且分析了当系数矩阵是块矩阵时线性互补问题解的收敛情况。     

基于最小偏差和优势度的区间数互补判断矩阵排序法

针对决策信息以区间数互补判断矩阵形式给出的多目标决策问题。首先,给出相对优势度的概念和区间数加性一致性互补判断矩阵的判定定理。其次,建立一个目标规划模型,通过求解该模型得到区间数互补判断矩阵的权重向量,并利用各权重向量的总体相对优势度对方案进行排序,提出了基于最小偏差和优势度的区间数互补判断矩阵排序法。方法的核心是对数值型互补判断矩阵排序方法的拓展。最后,通过实例说明方法的可行性和有效性。     

A Quasi-3D Threshold Voltage Model for Dual-Metal Quadruple-Gate MOSFETs

Due to challenges with relentless scaling of conventional bulk complementary metal-oxide- semiconductor （CMOS） devices, non-conventional CMOS devices have been of great interest to scale metaboxide-semiconductor field effect transistors （MOSFETs） to the 32nm gate length and below effectively. Among non-conventional CMOS devices, quadruple-gate （QG） MOSFETs have been gaining interest because they are sup- posed to provide excellent electrostatic controllability for ultra-large-scale integration （ULSI） applications. A number of attempts have been made to analyze QG MOSFETs analytically with a great amount of success. Sharma et al. have presented an an- alytical threshold voltage model for QG MOSFETs using an isomorphic polynomial function for solv- ing the 3D Poisson equation. Chiang has presented a number of models of scaling length,threshold voltage and subthreshold current for QG MOS- FETs adopting a concept of the so-called equivalent number of gates （ENGs）.     

Componentwise complementary cycles in multipartite tournaments

The problem of complementary cycles in tournaments and bipartite tournaments was completely solved. However, the problem of complementary cycles in semicomplete n-partite digraphs with n ≥ 3 is still open. Based on the definition of componentwise complementary cycles, we get the following result. Let D be a 2-strong n-partite (n ≥ 6) tournament that is not a tournament. Let C be a 3-cycle of D and D \ V (C) be nonstrong. For the unique acyclic sequence D1, D2, ··· , Dα of D \V (C), where α≥ 2, let Dc = {Di|Di contains cycles, i = 1, 2, ··· , α}, Dc = {D1, D2, ··· , Dα} \ Dc. If Dc ≠ , then D contains a pair of componentwise complementary cycles.