全文获取类型
收费全文 | 529篇 |
免费 | 74篇 |
国内免费 | 34篇 |
专业分类
化学 | 23篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 50篇 |
综合类 | 14篇 |
数学 | 423篇 |
物理学 | 126篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 13篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 20篇 |
2020年 | 10篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 12篇 |
2017年 | 23篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 24篇 |
2014年 | 35篇 |
2013年 | 31篇 |
2012年 | 30篇 |
2011年 | 49篇 |
2010年 | 29篇 |
2009年 | 36篇 |
2008年 | 25篇 |
2007年 | 25篇 |
2006年 | 32篇 |
2005年 | 16篇 |
2004年 | 21篇 |
2003年 | 20篇 |
2002年 | 22篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 18篇 |
1999年 | 15篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有637条查询结果,搜索用时 140 毫秒
111.
112.
给出了求解垂直互补问题的一种参数牛顿法,在较为温和的条件下证明了该方法的局部超线性收敛结果,并且给出了具体数值计算. 相似文献
113.
通过利用不动点迭代来研究线性互补问题,根据基模同步多重分裂迭代方法将其线性互补问题的系数矩阵是点的形式推广到块H+的形式,并且分析了当系数矩阵是块矩阵时线性互补问题解的收敛情况。 相似文献
114.
对于满足乘性一致性的残缺互补判断矩阵的决策问题,提出了一种决策方法。首先把互补判断矩阵的乘性一致性定义进行了简化,得到了互补判断矩阵乘性一致性的另外几种表达形式;进一步得到了在已知n-1个特殊元素的条件下,残缺互补判断矩阵中缺失元素的补全方法;然后给出了残缺互补判断矩阵可接受的条件,以及矩阵的一致性检验及调整方法;基于残缺互补判断矩阵,给出了以下决策步骤:残缺互补判断矩阵的一致性检验及调整过程,补全缺失元素的迭代过程和最优方案择优过程。最后给出了一个实例,通过该实例的计算以及本文方法与已有方法的比较,证明了本文方法是简便和有效的。 相似文献
115.
针对决策信息以区间数互补判断矩阵形式给出的多目标决策问题。首先,给出相对优势度的概念和区间数加性一致性互补判断矩阵的判定定理。其次,建立一个目标规划模型,通过求解该模型得到区间数互补判断矩阵的权重向量,并利用各权重向量的总体相对优势度对方案进行排序,提出了基于最小偏差和优势度的区间数互补判断矩阵排序法。方法的核心是对数值型互补判断矩阵排序方法的拓展。最后,通过实例说明方法的可行性和有效性。 相似文献
116.
117.
The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS. 相似文献
118.
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 相似文献
119.
构建了基于压缩感知的欠定盲源分离源信号恢复模型,比较研究了基于互补匹配追踪算法(CMP)、基于L1范数的互补匹配追踪算法(L1CMP)和基于修正牛顿的径向基函数算法(NRASR)实现欠定源信号恢复的应用效果。结果表明:源信号时域充分稀疏情况下,CMP,L1CMP和NRASR的恢复效果接近,但L1CMP算法计算复杂度最低;变换域充分稀疏情况下,CMP和L1CMP恢复效果接近,NRASR恢复效果较差;时域非充分稀疏情况下,CMP效果较差,L1CMP和NRASR效果接近。综合考虑,L1CMP算法效果最佳;在观测信号数和源数较少的情况下,算法在时域恢复信号精度会下降;稀疏表示法结合压缩感知重构能够提高源信号恢复的效果。 相似文献
120.