离子色谱电导检测法测定酒中的有机酸和无机阴离子

采用淋洗液发生器-抑制电导检测法,同时分离和检测16种无机阴离子和低分子量有机酸,建立了用亲水性阴离子交换分离柱,KOH为淋洗液等浓度泵作梯度淋洗的离子色谱分离方法. 该方法具有良好的重现性、线性关系. 除马来酸外,所有被测离子的检测限都在0.16 mg/L以下. 方法用于测定4种酒样品的分析,结果满意.样品测定的回收率在93.52%到116.08%之间,除富马酸外其它RSD都小于3.8%.     

掺镁YFeO3固溶体的电导和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了复合氧化物ＹＦｅＯ３镁掺杂固溶体Ｙ１－ＭｇｘＦｅＯ３气敏半导体材料,并对其相组成、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Ｍｇ＾２＋在ＹＦｅＯ３的Ａ位固溶范围为０≤ｘ≤０．８;电导测量显示,该Ｐ型固溶材料电导突变较纯相ＹＦｅＯ３低１００℃以上;９００℃以下灼烧４ｈ所得的Ｙ０．９４Ｍｇ０．０６ＦｅＯ３粉料制作的元件在２５７℃时对乙醇灵敏度最高,对４．５μｍｏｌ／Ｌ乙醇的灵敏度高达４４     

ERDS-RE''''NYI大数律下自正则的效用

｛Ｘ，Ｘｉ，ｉ≥１｝是ｉ．ｉ．ｄ．ｒ．ｖ′．ｓ．在矩母函数存在的条件下，由古典的Ｅｒｄｏｓ－Ｒéｎｙｉ大数律有ｌｉｍｎ→∞ｍａｘ０≤ｋ≤ｎ∑ｋ＋［ｃｌｏｇｎ］ｉ＝ｋ＋１Ｘｉ［ｃｌｏｇｎ］＝α（ｃ），α（ｃ）为某常数．自正则下ＭｉｋｌóｓＣｓｏｒｇｏ＆ＳｈａｏＱｉｍａｎ（１９９４）在仅要求一阶矩的条件下就得到了：ｌｉｍｎ→∞ｍａｘ０≤ｋ≤ｎ∑ｋ＋［ｃｌｏｇｎ］ｉ＝ｋ＋１Ｘｉ∑ｋ＋［ｃｌｏｇｎ］ｉ＝ｋ＋１（Ｘ２ｉ＋１）＝β（ｃ），β（ｃ）为某常数．众所周知，自正则下人们往往在较弱条件下取得相应结果是因为：分母中的Ｘ能有效抵销分子中Ｘ较大而引起整个分式极限行为的波动．因此，在什么样的条件下，式ｍａｘ０≤ｋ≤ｎ∑ｋ＋［ｃｌｏｇｎ］ｉ＝ｋ＋１Ｘｉ∑ｋ＋［ｃｌｏｇｎ］ｉ＝ｋ＋１Ｘ２ｉ１－β［ｃｌｏｇｎ］β→ｒ（ｃ）成为非常有意思的问题，因为它将依赖于β的大小．本文给出，当０＜β≤１２时，只要Ｅ（Ｘ）≥０，上式就有有限极限．当１２＜β＜１时，则必须在矩母函数存在下，上式才有有限极限．并都求出了其极限表达式．     

Temperature-Dependent Dynamic Properties of LixMn2O4 in Monte Carlo Simulations

Monte Carlo (MC) simulations are used to simulate the voltage profile and the ionic conductivity s of Li ions in LixMn2O4 and its dependence on the lithium concentration x. The open circuit potential shows clearly the two plateaus in the charge/discharge curve, which agrees well with the experimental results. The two plateaus become more and more steep when the temperature is increased. The simulated ionic conductivity shows an M-shaped curve in the plot of ionic conductivity cr versus x when the simulation temperature is low. Interestingly,the minimum valley, which lies at the middle single-phase area near x=0.5, disappears gradually when the temperature increases to 453K.     

F值函数的微分及其在FNN中的应用

本文引进了集值函数的ｓ－可微和模糊值（Ｆ值）函数的Ｆｓ－可微概念。给出了这两种可微性的几个判别条件。最后研究并得到了一类模糊神经网络（ＦＮＮ）的Ｆｓ－可微性和连续性。     

室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率,并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感.因此,进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性,结果表明,紫外光照将引起较为明显的光响应电流,且经过光照的器件在光源移除7天后,ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象,其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.     

CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究

由于CaCu₃Ti₄O₁₂巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu₃Ti₄O₁₂这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理. 关键词： 3Ti₄O₁₂陶瓷')" href="#">CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷 模量 松弛过程 电导     

石墨烯纳米网电导特性的能带机理：第一原理计算

通过第一原理电子结构计算来研究有序多孔纳米网的电导特性变化的能带机理.能带结构分析结果表明:石墨烯纳米网超晶格(3m,3n)(m和n为整数)的电子本征态在布里渊区中心点发生四重简并;碳空位孔洞规则排列形成的石墨烯纳米网具有由简并态分裂形成的宽度可调带隙,无论石墨烯的两个子晶格是否对等.在具有磁性网孔阵列的石墨烯纳米网中,反铁磁耦合使对称子晶格的反演对称性增加了一项量子限制条件,导致能带结构在K点的二重简并态分裂成带隙.通过控制网孔密度能够有效调节石墨烯纳米网的带隙宽度,为实现新一代石墨烯纳米电子器件提供了理论依据.     

镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2 O3 纳米粉 ,研究了镁掺杂对In2 O3 电导和气敏性能的影响 .结果表明 :MgO和In2 O3 间可形成有限固溶体In2 -xMgxO3 (0≤x≤ 0 .40 ) ;MgIn× 电离的空穴对材料导带电子的湮灭 ,使掺镁纳米粉的电导变得很小 ;n(Mg2 + )∶n(In3 + ) =1∶2共沉淀物于 90 0℃下热处理 4h ,用所得的纳米粉制作的传感器在 32 0～ 370℃下 ,对 45 μmol/LC2 H5OH的灵敏度达 10 2 .5 ,为相同浓度干扰气体Petrol的 12倍多 .     

CYCU-3孔内合成聚吡咯及其电导性能表征

以具有一维介孔孔道的金属有机框架材料CYCU-3作为主体材料,采用碘氧化法在其孔道内进行了吡咯的聚合反应,从而得到了复合材料PPy@CYCU-3。利用粉末X射线衍射、扫描电镜、热重、红外、荧光光谱等对CYCU-3、吸附吡咯后的Py@CYCU-3以及孔内聚合后的复合材料PPy@CYCU-3进行了表征,证明了孔内聚合的成功进行,而且在聚合过程中,CYCU-3基本保持了结构的稳定,形貌也未发生改变。而且,PPy@CYCU-3复合材料是具有多孔性和电导性的多功能材料。氮气吸附表明该材料为典型的微孔材料,其BET比表面积为420 m2·g~(-1)。电导测试表明该材料的电导率为10-7 S·cm~(-1),高于CYCU-3的电导率(σ≈10-13S·cm-1)6个数量级,是一种半导体材料。