FTIR法研究氨基酸稀土配合物与磷脂的相互作用

利用傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）法研究了不同类型氨基酸及其配合物与二棕榈酰磷脂酰胆碱脂质体浇铸膜的相互作用。结果表明，在有氨基酸存在下，二棕榈酰磷脂酰胆碱的红外谱图没有明显的变化；氨基酸稀土配合物与磷脂极性头基团有静电相互作用，作用的程度随稀土离子、氨基酸及稀土同氨基酸配比的不同而有所不同。     

A Note on Casoratian Solutions to Two-Dimensional Toda Lattice

In this short paper we generalize the conditions that Casoratian entries satisfy for the two-dlmenslonal Toda lattice. Although we finally conclude that our generalization is trivial in some sense for getting new solutions, our discussion is still helpful for the study of Wronskian technique.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

聚丙烯-二苯氨基脲树脂分离富集原子吸收法测定地质样品中的金

研究了聚丙烯 -二苯氨基脲树脂的合成及其分离富集样品中痕量金的条件。在 p H为 3.0的 HCl介质中 ,金定量吸附在聚丙烯 -二苯氨基脲树脂上 ,3%硫脲 - 0 .1 mol/ L HCl溶液洗脱 ,火焰原子吸收光谱法测定。回收率在 91 .6 %— 1 0 1 .6 %之间。可用于实际地质样品中贵金属的分离富集与测定。     

荧光法研究对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃与二苯胺磺酸钠包结作用

用荧光法研究了水溶性对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃与二苯胺磺酸钠的相互作用。发现当对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃加入到二苯胺磺酸钠溶液时,二苯胺磺酸钠的荧光峰发生了明显的蓝移,荧光增强,可能的作用机理是二苯胺磺酸钠中的磺酸根与对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃中带正电的氮原子之间有较强的静电作用,二苯胺磺酸钠进入了对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃的疏水空腔。同时研究了几种有机溶剂对包结物的荧光强度的影响,初步探讨了其作用机理。     

常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.     

大角度直下式LED背光透镜的设计

液晶显示领域不断提出缩减成本方案,对于液晶电视LED背光系统,提出了一种大角度背光透镜设计方案,即在目标接收屏面具有较大照度辐射角度的背光透镜设计。采用特定的双自由曲面设计,入光孔设置为类椭圆型结构面将光源出射的光通量进行等角度划分,根据接收屏面的理想照度分布与入光孔每一角度出射光通量对应关系计算出出光面自由曲线。借助底部微结构处理,再根据模具及产品成型要求补全外观结构,得到符合设计指标的方案,有效地解决了因增大角度引起的黄斑问题,并达到目标接受面均匀度的要求。针对32英寸（81 cm）的液晶电视背光模组,采用12颗最大正向电流为350 mA的LED灯珠,在模组高度为30 mm的系统中,设计的背光透镜模组达到了要求的亮度及均匀度。     

一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究

采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图，以确定最佳的禁带带宽，从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体，介电常数比约为13/1，当填充比为0.16时，计算得禁带带宽为0.2564×2πc/Λ，禁带的中心频率为0.3478×2πc/Λ，与实验数据吻合。     

Fermionic Zero Modes in Self-dual Vortex Background on a Torus

We study fermionic zero modes in the self-dual vortex background on an extra two-dimensional Riemann surface in （5＋1） dimensions. Using the generalized Abelian-Higgs model, we obtain the inner topological structure of the self-dual vortex and establish the exact self-duality equation with topological term. Then we analyze the Dirac operator on an extra torus and the effective Lagrangian of four-dimensional fermions with the self-dual vortex background. Solving the Dirac equation, the fermionic zero modes on a torus with the self-dual vortex background in two simple cases are obtained.     

评论:“边界振动的微腔中的二能级原子”

<正>在曲照军等的文章中[1]作者声称他们能够解决腔场影响原子问题.在此我们显示出既然他们用于得到相互作用表象的哈密顿的变换不完备所以他们没有解决该问题.我们知道此相互作用的哈密顿量可表示为(h=1)H=ωa■a+ωmb■b+ω0/2σz+g1(a■σ_+σ+a)+g2a■a(b■+b),(1)这里a和a■是单模量子化场的产生与湮灭算符,而b和b■为量子谐振子的产生与湮灭算符,g1是单模辐射场与原子的乡耦合系数,g2是单模辐射场与振动边界的耦合常数.曲照军等人把哈密顿量(1)分解成自由和相互作用两个哈密顿量H=H0+HI.这里