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1.前言根据现行全日制中学数学数学大纲,讲二次根式以前,先讲数的开方和实数概念.这是完全正确的.因为二次根式的理论基础是有理数的平方根,因此必须先讲数的开方,由此就出现了无理数.这就迫使我们非讲实数概念不可.这是初中代数教学中一大难点.对于初中学生来说,要理解实数概念太困难了.可是不讲又不行.二次根式就无法进行了.没办法,只好马马虎虎地讲.目前中学数学大纲就是采取这个方针. 相似文献
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1(2000年中国台湾数学奥林匹克)设,是正整数集到非负整数集的映射,满足f(1)=0,f(n)=max 1≤j≤n-1 {f(j)+f(n~j)+j|(n≥2),求f(2000)。 相似文献
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在地震反演中,我们遇到了求解这样一个问题这里文〔2〕提出了解(I)的一种迭代方法,实质上是一种;单纯形方法,但这种方法没有充分利用问题(ML I)的特点,迭代时每步下降不是最优的.本文提出一种新的有效算法,使得迭代时每步下降最大,·它可以看作单纯形算法的改进,大量计算宝例表明该方洛非常右竹早外_ =fr了拼一先y1许置景一太寸怂申了 相似文献
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研究了新显色剂DBM-偶氮二溴羧与锶显色反应的最佳条件。在0.12mol·L~(-1)磷酸介质中,试剂与锶发生显色反应,最大吸收波长为610nm,络合比为1:1,摩尔吸光系数为4.75×10~4,锶量在0~15μg/25ml范围内符合比耳定律。反应具有很高的选择性,三倍于锶量的钡不干扰测定,可快速测定炼钢除氧剂和铝合金中的锶。 相似文献
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荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
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陈永林 《应用数学与计算数学学报》1993,7(1):1-13
本文提出了S-n.n.d.阵的概念,随之研究了相当一般的约束二次规划问题。本文还给出了S-n.n.d.阵A的基本加边矩阵的广义逆。§1.引言具有线性等式约束的二次规划问题(CQP)是最优化分支中最重要的问题之一。关于这个问题的理论方面与数值解法方面,已有许多文献。这个问题有许多形式,例如常见的形式是求函数 相似文献
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比较了用三碘甲状腺氨酸抗体(T3抗体)、褐藻酸钠(AS)标记T3抗体及褐藻酸钠-纳米金复合物(ASN)标记的T3抗体,在通过免疫反应结合到免疫电极表面后,引起的电极表面微环境发生改变的程度;用Fe(CN)3-/4-6为电化学探针,用循环伏安法获取金电极表面微环境改变的电流信息来检测 T3抗体,检测的线性范围为100~1 600ng·ml-1,检出限为45ng·ml-1. 相似文献