全文获取类型
收费全文 | 22765篇 |
免费 | 3243篇 |
国内免费 | 11527篇 |
专业分类
化学 | 21862篇 |
晶体学 | 346篇 |
力学 | 1337篇 |
综合类 | 692篇 |
数学 | 4696篇 |
物理学 | 8602篇 |
出版年
2024年 | 170篇 |
2023年 | 593篇 |
2022年 | 811篇 |
2021年 | 901篇 |
2020年 | 647篇 |
2019年 | 724篇 |
2018年 | 447篇 |
2017年 | 759篇 |
2016年 | 803篇 |
2015年 | 907篇 |
2014年 | 1557篇 |
2013年 | 1401篇 |
2012年 | 1448篇 |
2011年 | 1524篇 |
2010年 | 1453篇 |
2009年 | 1558篇 |
2008年 | 1695篇 |
2007年 | 1572篇 |
2006年 | 1619篇 |
2005年 | 1586篇 |
2004年 | 1609篇 |
2003年 | 1591篇 |
2002年 | 1312篇 |
2001年 | 1308篇 |
2000年 | 969篇 |
1999年 | 1019篇 |
1998年 | 905篇 |
1997年 | 905篇 |
1996年 | 800篇 |
1995年 | 862篇 |
1994年 | 737篇 |
1993年 | 618篇 |
1992年 | 662篇 |
1991年 | 550篇 |
1990年 | 493篇 |
1989年 | 505篇 |
1988年 | 163篇 |
1987年 | 115篇 |
1986年 | 80篇 |
1985年 | 63篇 |
1984年 | 37篇 |
1983年 | 30篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 109 毫秒
31.
层次分析法参数化的随机模型 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了层次分析法参数化的随机模型,通过计算难度系数,得出权向量,从而有利于广泛应用且真实可靠。 相似文献
32.
33.
34.
根据递推最小二乘和图像配准原理,提出了基于递推最小二乘的红外焦平面非均匀校正算法(简称ILS算法),有效降低算法的时间和空间复杂度,使噪音图像的校正处理能够实时完成.ILS算法具有噪音参量估计准确度高、收敛速度快和计算复杂度低等优点.给出了算法的推导并用仿真数据对算法的有效性进行验证. 相似文献
35.
在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础. 相似文献
36.
在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物/粘土纳米复合材料,其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明,聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比.一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素(诸如径厚比、取向、剥离程度等)对聚合物/粘土纳米复合材料阻隔性能的影响,所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。 相似文献
37.
38.
为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。 相似文献
39.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
40.