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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。 相似文献
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We report the application of customer-built scanning thermal microscopy (SThM) based on a commercial atomic force microscope to investigate local thermal inhomogeneity of ZnO varistors. The so-called 3ω method, generally used for measuring macroscale thermal conductivity, is set up and integrated with an atomic force microscope to probe the nanoseale thermal property. Remarkably, thermal contrasts of ZnO varistors are firstly imaged by the SThM, indicating the uniform distribution of spinel phases at triple points. The frequency-dependent thermal signal of ZnO varistors is also studied to present quantitative evaluation of local thermal conductivity of the sample. 相似文献
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Photocatalytic TiO2 thin film is prepared by sol–gel technique on microstructured silicon substrate produced by femtosecond laser cumulative irradiation. The photocatalytic activity is evaluated by the degradation of methylene blue (MB) solution under ultraviolet (UV) irradiation. For 6-ml MB solution with initial concentration of 3.0×10~-5 mol/L, the degradation rate caused by TiO2 thin film of 2-cm~2 area is higher than 70% after 10-h UV irradiation. Microstructured silicon substrate is found to enhance photocatalytic activity of the TiO2 thin film remarkably. The femtosecond laser microstructured silicon substrate is suitable to support TiO2 thin film photocatalysts. 相似文献
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美国科学家公布了一种修复纳米大小的缺陷的新技术.他们使用由聚酯表面活性剂来稳固的油滴,里面充有CdSe纳米粒子.这样做成的微滴在物体表面上滚动或滑动,将纳米粒子释放到所碰到的裂缝或缺陷中.然后继续前行到下一个缺陷.虽然微滴较大, 相似文献