提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低（小于10 keV）时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高（大于20 keV）时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。     

利用GEANT4研究轻带电粒子诱发反应出射中子双微分产额

轻带电粒子诱发反应产生次级中子的研究对于加速器屏蔽设计和优化具有重要意义。利用Geant4程序结合INCL、BIC、BERT物理模型分别计算了33 MeV的d核、65 MeV的3He核和4He核轰击厚的碳、铜和铅靶在轻带电粒子诱发反应产生次级中子的研究对于加速器屏蔽设计和优化具有重要意义。利用Geant4程序结合INCL、BIC、BERT物理模型分别计算了33 MeV的d核、65 MeV的3He核和4He核轰击厚的碳、铜和铅靶在$0^{\circ}$,$15^{\circ}$,$45^{\circ}$,$75^{\circ}$和$135^{\circ}$等方向出射中子的双微分产额,并与实验数据进行了比较。研究表明,对于33 MeV的d核诱发的核反应,INCL模型的计算结果基本上再现了碳靶和铜靶的实验数据,但高估了铅靶直接过程产生的中子。BIC模型和BERT模型的计算结果没有重现弹核削裂过程对应的宽峰。对于65 MeV的3He核诱发的核反应,三个模型的计算结果均未能重现前向角弹核削裂过程产生的中子,但在$15^{\circ}$,$45^{\circ}$,$75^{\circ}$和$135^{\circ}$上三个模型的计算结果与实验数据符合较好。对于65 MeV的4He核诱发的核反应,INCL模型的计算结果与碳靶和铜靶的实验数据符合较好,但低估了铅靶的中子产额。BIC模型和BERT模型的计算结果低估了碳靶的实验数据,且在大角度上略微高估了铅靶的实验数据。     

低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟方法详细研究了低能Pt原子与Pt(111)表面的相互作用所导致的表面吸附原子、溅射原子、表面空位的产生及分布规律,给出了表面吸附原子产额、溅射原子产额和表面空位产额随入射Pt原子能量的变化关系.模拟结果显示:溅射产额、表面吸附原子产额和表面空位产额随入射原子的能量的增加而增加,溅射原子、表面吸附原子的分布花样呈3度旋转对称性质;当入射粒子能量高于溅射阈值时,表面吸附原子主要是基体最表面原子的贡献,入射粒子直接成为表面吸附原子的概率很小.其主要原因是:当入射粒子能量高于溅射能量阈值时,入射 关键词： 分子动力学 低能粒子 表面原子产额 空位缺陷 溅射     

新一代二维通道电子倍增器的薄膜连续打拿极

概述了传统还原铅硅酸盐玻璃微通道板(RLSG-MCP)及其特点以及MCP的新发展;介绍了材料的二次发射特性,给出了传统MCP薄膜连续打拿极结构特点和形成工艺.在此基础上,重点论述了用半导体工艺技术制作新一代二维电子倍增器——先进技术微通道板(AT-MCP)的薄膜连续打拿极制备新技术,给出了具体工艺和实验结果,示出了电镜照片和实验曲线,指出了新工艺的优点和发展前景.     

高稳定恒流电源的研制和应用

介绍一种简单的方法把普通可调三端稳压集成电路改为高稳定度恒流电流,用于高能二次电子发射系数测量系统的磁聚焦中,也可用于扫描电子显微镜等,其稳定度可达１０＾－４。     

钨酸铅晶体的性能测试

通过实验给出了不同生长条件下的钨酸铅(PbWO₄或PWO)晶体的多项性能指标,包括激发发射谱、透射谱、荧光衰减时间、光产额、辐照损伤等实验结果,并对结果进行了讨论.     

35MeV/u 36,40Ar+112,124Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u ^36,40Ar+^112,124Sn反应中,在前角5°和20°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加.对于某种元素,随着动能的减小,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡.这些现象表明在这样的入射能量下,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡.这种行为对两个靶核系统是相似的,但是同位素产额比的绝对值在5°没有靶核相关性,而在20°处却表现出明显的靶核相关性.     

ADS中子源散裂靶物理研究

运用蒙卡程序DCM CEM对ADS标准散裂中子靶进行了计算研究.计算了在0.1~1.6GeV的质子轰击下,标准Pb靶发生散裂反应产生的泄漏中子产额及分布、中子能谱以及靶内能量沉积分布.计算结果与文献理论数据、实验数据进行了比较.     

The dielectronic recombination process in laser-produced Au plasmas

The calculations of the rate coefficients for dielectronic recombination (DR) along the NiI isoelectronic sequence in the ground state Au^{51+} through Cu-like 3d^9nln′f (n,n′=4,5,6) inner-shell excited configurations are performed using the spin-orbit-split array (SOSA) model. Resonant and nonresonant radiative stabilizing transitions and decays to autoionizing levels followed by radiative cascades are included. Collisional transitions following electron capture are neglected. The trend of the DR rate coefficients and the ratio of dielectronic satellite lines intensities with the change of the electron temperature are discussed.     

CH3I分子的光解离的自旋-轨道从头计算

采用从头计算二阶自旋-轨道多组态准简并微扰理论计算了碘代甲烷CH3I分子与基态2I03/2和激发态2I0#1/2原子解离极限相关联的势能曲线.计算了CH3I分子的吸收谱,分析了CH3I分子的光解离过程,并估计了激发态碘原子2I0#3/2的量子产额.计算结果表明.该方法可用以解释光解离实验结果.