匀强磁场与简谐势阱中的低维荷电自旋-1玻色气体

采用截断求和法和半经典近似,以二维理想玻色气体为例,研究了磁场和简谐势阱中低维荷电自旋-1玻色子的相变及磁性质.结果表明,电荷-磁场和自旋-磁场作用的竞争导致玻色-爱因斯坦凝聚临界温度随磁场的增大先略微上升后缓慢下降.截断求和法能够有效的改进半经典近似的不足.最后,讨论了磁化强度由抗磁性到顺磁性的转变及自旋因子临界值随磁场和温度的变化.     

氰乙基纤维素/二甲基乙酰胺液晶溶液的研究

本文利用Abbe折射仪,热台偏光显微镜,小角光散射等方法研究了氰乙基纤维素/二甲基乙酰胺液晶溶液的形成,形态结构和某些性质。溶液随浓度的增加,从各向同性态经过两相共存状态,转变成为单一的液晶态。该液晶是胆甾型的。溶液的双折射Δn随浓度的增加或温度的降低而增大。在无外力作用时,液晶相由许多无规分布的取向微区组成。液晶溶液受切应力后形成“条纹结构”,大分子链沿切应力方向取向,并在各条纹中排列有序。     

界弛豫研究50年

文章综述了我国科学工作者５０年来关于晶界弛豫研究的早期开拓和近期发展．前者包括扭摆内耗仪的发明、晶界内耗峰的发现和无序原子群晶界模型的提出．后者包括澄清了关于晶界内耗峰来源的争论,揭示了晶界弛豫具有一个临界温度,从而提出了一个适合于各种温度的综合的晶界模型．一个最重要的进展是关于竹节晶界内耗峰的发现与其机理的阐明,从而揭示了晶界附近的位错亚结构能够影响晶界本身的性质和结构．这对于研究多晶金属的力学性质提供了一个广阔的途径．另外,晶界与邻域位错的非线性交互作用的发现,为奠定非线性滞弹性这门新学科提供了实验基础     

炸药柱非限定热爆炸实验研究

对HMX/TATB系列配方和PBX 1的10mm 10mm、2 0mm 2 0mm、30mm 30mm炸药柱进行了非限定热爆炸实验 ,探讨HMX/TATB含量和几何尺寸对热爆炸临界温度的影响。结果表明 :TATB含量增加 ,炸药配方的热感度降低 ,炸药柱热爆炸临界温度增加 ,其增加趋势随TATB含量的增加而变得更加明显 ;炸药柱几何尺寸越小 ,影响越明显 ;线性拟合得到非限定炸药柱热爆炸临界参数,药柱半径r和热爆炸临界温度Tm 之间的关系式以及热爆炸延滞期t与临界温度Tm的关系式 ;计算获得PBX 1炸药柱非限定试验 4h不发生热爆炸反应的特征临界温度。     

高Tc超导材料YBCO临界温度测量方法

本文讨论了高温超导材料临界温度的测量原理和方法,采用动态法测量了钇钡铜氧(YBCO)超导体材料的电阻—温度特性,文中给出了测量结果并对其进行了讨论分析。     

热标量场等离子体激元阻尼率的临界行为

在闭合时间路径的实时温度场论的框架下,导出了热重整化群方程.热重整化群方程的数值解表明热标量场的耦合常数随温度跑动.将热重整化群方程应用到对称性自发破缺的φ4理论,我们考察了具有有限动量的等离子体激元阻尼率在自发破缺对称性恢复的相变温度下的临界行为.当温度趋于临界温度时,结果表明耦合常数随温度的跑动导致有限动量的等离子体激元阻尼率逐渐减小到零,与不考虑耦合常数随温度的跑动得到的趋势相反.解决了把耦合常数看成常量导致的与临界趋缓规律的矛盾.     

用于TES测辐射热计的Al/Ti双层薄膜制备及其超导特性研究

本文报道了用于超导TES(Transition Edge Sensor)测辐射热计的Al/Ti双层薄膜制备及其超导特性研究.通过分析Al薄膜表面粗糙度和室温电阻率在不同溅射功率和氩气压力下的变化关系,优化了Al薄膜的制备工艺.使用磁控溅射技术生长了一系列不同厚度的Al/Ti双层薄膜,在氦三制冷机中测量了双层膜的超导特性.测试结果表明,Al/Ti双层薄膜具有良好的超导相变特性,在10μA测试电流下,其相变宽度保持在3mK~6mK范围内,在超导临界温度下电阻对温度的灵敏度参量α在300左右;由于超导邻近效应(Proximity effect),双层薄膜的临界温度可以通过控制Ti薄膜的厚度实现在470mK~800mK温区内的调节.Al/Ti双层薄膜的这些性能满足了制备超导TES测辐射热计的需要.     

用非等温DSC基于Harcourt-Esson方程估算含能材料热爆炸临界温度的一种简单方法

用合理假设,由Semenov热爆炸理论和基于Harcourt-Esson速率表达式非等温动力学方程 ,推导了估算含能材料热爆炸临界温度的一种简单方法。该计算式为 ,比较简单。从非等温DSC曲线上onset温度（ ）通过表达式 可得到 ,由方程 可求得 值,随后算出 。该方法计算结果与Zhang-Hu-Xie-Li方法结果相一致。     

直流磁控溅射制备超导TiN薄膜北大核心CSCD

采用直流磁控溅射法在高阻硅上室温生长TiN超导薄膜.制备了不同溅射功率、溅射气压以及N2/Ar比份条件下的样品.综合物性测量系统(PPMS)测出了样品的超导临界温度Tc在3.2~4.0K之间,给出了Tc与制备条件的关系.X射线衍射(XRD)分析测量了样品的(111)TiN衍射峰半高宽(FWHM)、晶格常数.原子力显微镜(AFM)测量得到表面粗糙度(RES)最好为1.716nm,且给出较高溅射功率有利于降低表面粗糙度.     

R1-xPrxBa2Cu3O7-δ超导Tc平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ_1-xＰｒ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导Ｔ_c与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ_i≤ｒ_i（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ_c平台，并且平台宽度表明一个Ｒ^３＋离子尺寸效应。我们认为，Ｔ_c平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ^３＋离子半径ｒ_ic，ｒ_i＞ｒ_ic时ＲＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导电性消失 关键词：