光纤束共焦显微成像

在光纤共焦显微系统理论的基础上，结合普通并行共焦理论和抽样定理，研究光纤束共焦系统的有效点扩散函数，得出光纤束共焦系统的光场分布情况。根据光纤束共焦系统的有效点扩散函数和光纤束中光纤的排列特点，分析光纤束共焦显微系统成象质量的影响因素。结果表明光纤束的光纤间距与物镜的放大率决定了系统的横向分辨率。     

注入器二极管区约束磁场的匹配设计研究

从分析影响注入器低能强流电子束稳定传输的主要因素出发，提出了注入器二极管区约束磁场匹配设计条件：阴阳极间足够高的磁场梯度和阴极面零磁场发射。阐述了满足匹配条件的磁场配置的设计方法，并利用数字模拟对设计方法进行了验证。     

A Monitor and Control System for the Synchrotron Radiation Beam Lines at DAΦNE

Three synchrotron radiation beam lines have been built on DAΦNE,the Frascati electron-positron accelerator.It is Possible to monitor and control all the elements on the beam lines using a modular network distributed I/O system by National Instrunments (FieldPoint) with Bridge VIEW/Lab VIEW programs,Two of these beam lines have radiation safety problems solved by two independent and redundant systems,using mechanical switches ,and S7-200 PLC‘s by Siemens.In this article our solution will be described in details.     

Phase Transitions in a Mixture of Hard-Sphere Dipoles and Neutral Hard Spheres

Using the reference hypernetted chain （RHNC） integral equation theory and a rigorous stability analysis method, we investigate the phase behavior of a mixture of hard-sphere dipoles and neutral hard spheres based on the correlations of the homogeneous isotropic phase. Lowering the temperature down to the points where the RHNC equations fail to have a solution, several ttuctuations strongly increase. At low densities our results indicate the onset of ／ chain formation, which is similar with the pure DHS system. At high densities, the results indicate the appearance of isotropic-to-ferroelectric transitions （small neutral hard spheres concentrations） and demixing transitions （large neutral hard spheres concentrations）.     

半导体激光器的电流调制特性研究

本介绍了半导体激光器注入电流调制特性，研究了半导体激光器的输出光频与注入电流的关系，并给出了其测量结果。     

束晕-混沌的非线性反馈离散控制

 基于非线性控制方法，提出了一种特殊的非线性反馈函数， 即小波反馈函数，用于离散控制强流质子束的束晕 混沌。控制后质子束的束晕强度因子很快趋于零，束均方根半径、束横向平均发射度等都减至控制前的三分之一稍多, 证明该控制方法切实有效，在工业上具有实用价值。     

铯原子钟的创建

 铯原子钟是二十世纪中叶物理学的一项惊人成就,其准确度和稳定度之高,使量子频标有可能取代以天体运动为基础的历书时而成为计时的基准.它的发明应归功于三个方面,一是光谱超精细结构(hfs)的研究,二是分子束磁共振实验技术的发展,三是分离振荡场方法的提出.这项成就生动地阐明了基础研究和应用研究之间的依赖关系.     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延     

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格，界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量，并对测量结果进行了模拟和分析，发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌，过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点，而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成，两者都使界面变得粗糙.另外，还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用. 关键词： 分子束外延 生长中断 超晶格 掠入射X射线反射