非均匀分布纵向耦合束不稳定性的研究

利用Vlasov方程研究了非均匀分布情形下的纵向多束团不稳定性.当束团均匀分布时,由该方法所得到的结果与ZAP程序给出的结果一致;对于非均匀分布的情形,由该分析解得到的结果与模拟跟踪方法所得到的结果接近.     

多巴胺在聚中性红修饰碳纤维微电极上的电化学行为

利用电聚合方法制备了聚中性红(PNR)修饰碳纤维微电极.根据循环伏安(CV)、电位阶跃实验结果,得出了多巴胺(DA)在PNR膜中的表观扩散系数D0=7.0×10-9cm2/s、膜表面表观标准电子转移速率常数κ=0.55 cm/s;该电极对DA响应灵敏,对抗坏血酸具有良好的抗干扰能力,可望用于活体中DA的测定.     

Structural and Electrical Properties of Single Crystalline Ga-Doped ZnO Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

High-quality Ga-doped ZnO （ZnO：Ga） single crystalline films with various Ga concentrations are grown on a- plane sapphire substrates using molecular-beam epitaxy. The site configuration of doped Ga atoms is studied by means of x-ray absorption spectroscopy. It is found that nearly all Ga can substitute into ZnO lattice as electrically active donors, a generating high density of free carriers with about one electron per Ga dopant when the Ga concentration is no more than 2%. However, further increasing the Ga doping concentration leads to a decrease of the conductivity due to partial segregation of Ga atoms to the minor phase of the spinel ZnGa2O4 or other intermediate phase. It seems that the maximum solubility of Ga in the ZnO single crystalline film is about 2at.% and the lowest resistivity can reach 1.92 ×10-4Ω·cm at room temperature, close to the best value reported. In contrast to ZnO：Ga thin film with 1% or 2% Ga doping, the film with 4% Ga doping exhibits a metal semiconductor transition at 80 K. The scattering mechanism of conducting electrons in single crystalline ZnO：Ga thin film is discussed.     

2MeV注入器束参数测量系统的精确触发方式

针对使用高速分幅相机测量2MeV注入器电子束束参数所要求的精确同步问题,采用了由功率系统的动作波形获取系统的触发信号方式,消除传统的触发方式带来的延时长、精度低(抖动大)的不利影响,满足使用高速分幅相机准确获取束流前期不同时刻的束参数波形的精确触发要求。     

弹性共振散射反应的厚靶实验设计

为了开展次级束引起的弹性共振散射反应的厚靶实验, 在北京HI-13串列加速器的次级放射性核束装置上建立了一套包含飞行时间和大面积双面硅微条探测器的探测系统, 并用57.0MeV ¹⁷F次级束轰击7.66mg/cm²的(CH₂)_n靶对¹⁷F+p弹性共振散射反应进行了试测量.     

外粒子源注入下气体放电过程的模拟研究

利用Geant4程序建立外源注入式、低气压气体开关物理模型,通过模拟计算电子增益与极板间电场强度、电子增益与极板间隙距离的函数关系验证了模型的正确性。计算了气体种类、气体压强对电子增益的影响,分析得到形成自持放电所需最小入射电子数,计算结果表明：在相同的气压及电场条件下,氮气的电子增益远大于氦气,这与氦气的高电离能性质相吻合; 随气压增大,电子增益呈非线性增长; 为实现自持放电,外源注入电子数面密度为1×10⁵~2×10⁵ /cm²。     

高能质子源靶用氢化铒薄膜制备过程影响因素

 采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等因素对氢化铒薄膜质量的影响。XRD结果显示,只有氢化时间超过24 h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氢化反应温度和氢气压力控制在适当范围内,使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放,可获得较完整的氢化铒薄膜。所获得的5~15 μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验,取得了良好的实验结果。     

BaTiO3薄膜的制备及其在电光调制器的应用

BaTiO₃凭借其较高的电光系数、优良的压电性质和非线性光学性质,成为制备高性能电光调制器的关键材料。其制备方法、实验条件和衬底的选择等决定了薄膜的质量、生长取向和电光系数等,进而影响电光调制器的传播损耗、半波电压、消光比等性能。本文从电光调制器的工作原理出发,围绕BaTiO₃薄膜的制备方法、实验条件和薄膜衬底等,探讨了成膜的取向和质量的影响因素,分析了各个BaTiO₃薄膜制备方法的优缺点,论述了波导的结构及参数,并展望了未来优化BaTiO₃薄膜制备和波导制作工艺的方向。     

High bandwidth surface-illuminated InGaAs/InP uni-travelling-carrier photodetector

Uni-traveling-carrier photodiodes(UTC-PDs)with ultrafast response and high saturation output are reported.A gradient doping layer and a narrow InP cliff layer were introduced to enhance the saturation and bandwidth characteristics.We measured the dark current,photo response,bandwidth,and saturation current of the fabricated UTC devices.For a15-μm-diameter device,the dark current was 3.5 nA at a reverse bias of 1 V,and the 3-dB bandwidth was 17.2 GHz at a reverse bias of 5 V,which are comparable to the theoretically values.The maximum responsivity at 1.55μm was 0.32 A/W.The saturation output current was over 19.0 mA without bias.     

离子液体辅助水热法合成六方WO3纳米棒束

提出了利用简单的离子液体1-甲基-3-乙基-咪唑溴辅助水热法合成六方WO₃纳米棒束的方法,对其结构进行了表征,并讨论其形成机理。TEM照片表明:WO₃纳米棒束由长200~300nm、直径25~30nm的纳米棒组装而成。离子液体1-甲基-3-乙基-咪唑溴在纳米棒的形成过程中起到了结构导向剂的作用。