低电压电沉积类金刚石碳膜的研究

采用电化学沉积法,在较低电压下(4.0～8.0 V)以甲酸作为主要碳源,甲酸钠作为辅助碳源,二甲基亚砜与去离子水作为溶剂,在不锈钢表面制备了类金刚石碳薄膜,研究了沉积电压对碳膜形貌和成分的影响。电化学沉积含氢类金刚石碳薄膜致密、均匀,膜的电导率与沉积电压呈负相关关系,电导率介于金属与半导体之间。拉曼光谱在1332 cm^-1处出现金刚石的特征峰,sp³碳成分随沉积电压的增加而增加。傅里叶红外变换光谱显示沉积的类金刚石碳膜为含氢碳膜。X射线光电子能谱分析显示这些薄膜中存在sp²和sp³键碳原子。     

金微/纳颗粒阵列的SERS效应研究

表面增强拉曼散射(surface-enhanced Raman scattering,简称为SERS)能够提供有机分子的指纹特征信息,且具有灵敏度高和响应时间快等优点,是一项具有发展前景的分析技术。纳米结构SERS基底是获得SERS信号的关键。本文利用简便的电沉积方法在硅片上制备大面积的金微/纳颗粒阵列。金纳米颗粒之间存在大量狭小的纳米间隙,在光激发下产生大量的SERS"热点",从而具有很高的SERS灵敏度。而且,这种金微/纳结构具有高结构稳定性和化学稳定性。该结构对浓度低至10-12 M的罗丹明6G(R6G)具有很高的SERS灵敏性,且具有很好的SERS信号均匀性。利用这种微/纳结构阵列SERS基底,实现对水中低浓度农药甲基对硫磷的成功检测。这表明我们制备的金微/纳颗粒阵列在检测环境中的毒性有机物污染物方面具有潜在的应用前景。     

2011年广东高考立体几何题引起的思考

2011年高考已降下帷幕,但对精彩考题的研究和认识却在继续,笔者对2011年高考广东卷理科第18题情有独钟.     

Growth of β-Ga2O3 nanorods by ammoniating Ga2O3/V thin films on Si substrate

This paper reports that/3-Ga2O3 nanorods have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films on a V middle layer deposited on Si（111） substrates. The synthesized nanorods were confirmed as monoclinic Ga2O3 by x-ray diffraction,Fourier transform infrared spectra. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy reveal that the grown β-Ga2O3 nanorods have a smooth and clean surface with diameters ranging from 100 nm to 200 nm and lengths typically up to 2μm. High resolution TEM and selected-area electron diffraction shows that the nanorods are pure monoclinic Ga2O3 single crystal. The photoluminescence spectrum indicates that the Ga2O3 nanorods have a good emission property. The growth mechanism is discussed briefly.     

不锈钢材料及TiN镀膜处理后PSD测试实验研究

PSD性能是评价电子储存环真空室材料及材料表面处理优劣的一个重要指标.对一约1.5m长不锈钢管道真空室进行了镀TiN薄膜处理,并在合肥光源机器研究用光束线(MSB)的PSD实验站上对该真空室在镀TiN薄膜处理前后分别进行了PSD性能测试实验研究.测试研究结果表明,TiN薄膜处理对于减小不锈钢材料PSD有非常明显的作用.     

不锈钢管道低温溅射镀TiN薄膜技术

 设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置。利用该装置，对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验，并对镀膜实验结果进行分析，得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数。样品测试结果表明：在压强为80～90 Pa、基体温度为160~180 ℃的镀膜参数下，不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳，薄膜沉积速率为0.145 nm/s。镀膜后真空室的二次电子产额明显降低。     

Effect of Pretreatment of TaN Substrates on Atomic Layer Deposition Growth of Ru Thin Films

The polycrystalline ruthenium films are grown on TaN substrates by atomic layer deposition （ALD） using bis（cyclopentadienyl） ruthenium [RuCp2] and oxygen as ruthenium precursor and reactant respectively at a deposition temperature of 330℃. The low-energy Ar ion bombardment and Ru pre-deposition are performed to the underlying TaN substrates before ALD process in order to improve the Ru nucleation. X-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy are carried out to characterize the properties of ALD Ru films. The results show that the nucleation density of Ru films with Ar^＋ bombardment to the underlying TaN substrates is much higher than that of the ones without any pretreatment. The possible reasons are discussed.     

阵列参比电极法研究316不锈钢焊缝腐蚀行为

应用自行建立的阵列参比电极技术,原位测量316不锈钢焊接样品在12%FeCl3溶液中腐蚀电位分布.同时借助电化学极化曲线、交流阻抗技术和扫描Kelvin探针对316不锈钢焊缝腐蚀进行跟踪检测.结果表明,经焊接的316不锈钢样品在12%FeCl3溶液中,最初时刻焊缝区发生优先腐蚀,而在母材区保持钝化状态;随着浸泡时间延长...     

添加钇提高不锈钢耐蚀性能的AES研究

用俄歇能谱仪对比研究了添加０．２％Ｙ对高硅不锈钢在９３％Ｈ２ＳＯ４介质中所形成的钝化膜中各元素浓度分布的影响，添加０．２％Ｙ增大了ＳｉＯ２在不锈钢钝化膜中的比例，从而使合金中Ｓｉ可充分形成富ＳｉＯ２的钝化膜。