用伪谱方法计算强激光场中一维原子的阈上电离谱

引入非线性空间变换,用伪谱方法求解了一维原子在强激光场中的薛定谔方程,再利用B样条函数和傅立叶级数的线性组合构造原子未微扰的本征函数,计算了一维原子在强激光场中的阈上电离谱,其结果与分裂算符法得到的结果符合得很好.     

量子变换理论及其应用概述

概括地介绍了量子变换理论的基本思想,并就这一基本理论在指数上二次型的正规与反正规乘积表示、二次型哈密顿量的配分函数和波函数,以及量子信息中连续变量系统的纠缠度和保真度的计算做了简要的说明。     

Pr(0.5):ZBLAN的双频激发上转换发光的研究

报道了Pr(0.5):ZBLAN玻璃在双频双光束光源激发下的激发态上转换现象.发现上转换发射谱的荧光与常规荧光发射谱的荧光一致，还发现双频激发下的上转换激发谱有3个明显的谱峰，它们依此对应于788.5nm 1G4→3P2,850.5nm 1G4→1I6和805.0nm 3H6→1D2的激发态吸收跃迁，而大的850.5nm上转换激发谱峰是由大的1G4(Pr3+ )→1I6(Pr3+)跃迁的振子强度f=23.04×10-6所致.这说明起源于1G4能级的激发态吸收上转换尤其1G4(Pr3+)→1I6(Pr3+)     

共掺杂的二氧化锆纳米材料中Yb3+和Tm3+上转换发光

用共沉淀法制备了二氧化锆掺Yb3 和 0 2 (0 4 ,1)mol%Tm3 的纳米材料 ;用发射波长为 980nm的激光激发样品 ,测量了掺 0 2mol%Tm3 的纳米材料在不同退火温度下的上转换光谱 ;测量了在相同退火温度、不同泵浦电流下的上转换发射光谱 ;并研究了蓝色上转换发射的过程。     

一类反应扩散方程解的爆破性

本文讨论反应扩散方程的定态解的存在性以及依赖时间的解的爆破性．     

求解线性方程组的顺序算法和并行算法的理论时耗估价

本文讨论了求解密集型线性方程组的两种并行算法。这两种算法都在下上单元(LU)分解。法的基础上使用了前向和后向置换进行的。这些算法在数值上是稳定的,并在顺序平衡机上用各种处理程序进行试验,都得到良好效果。     

集值逆上鞅的收敛定理及应用

研究了取值于Ｂａｎａｃｈ空间的集值逆上鞅的收敛性，给出了集值逆上鞅在集列Ｗｉｊｓｍａｎ收敛，弱收敛及Ｋｕｒａｔｏｗｓｋｉ－Ｍｏｓｃｏ收敛意义下的收敛定理，并给出了它们在连续参数集值鞅中的应用。     

右连续上鞅的提升及其应用

本文首先给出了一个右连续上鞅的ＳＤ提升，在引进Ｓ－上鞅和强Ｓ－上鞅概念之后，研究了一一致可积上鞅与Ｓ－上鞅，类上鞅与强Ｓ－上鞅之间的关系，并得到了Ｓ－上鞅与强Ｓ－上鞅的许多性质，作为其直接结果，给出了类上鞅的Ｄｏｏｂ－ＭＮｅｙｅｒ分解。     

高效的红外到可见上转换氟氧化物玻璃材料

本文报道了一种高效的Ｅｒ＾３＋掺杂红外到可见的上转换氟氧化物玻璃材料。材料的组份为６０ＴｅＯ２－８ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－２ＥｒＯ３／２,给出了样品的制血方法。测量了该材料在室温下的吸收光谱,在８０８和９７０ｎｍＬＤ激发下观察到了非常强的上转换荧光,测量了在不同激发波长激发下Ｅｒ＾３＋的绿色荧光,讨论了在８０８和９７０ｎｍ激发下上转换发光的机理。测量了上转换发射光谱,研     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.