日本政要谈珠算

日本把珠算作为他们的传统文化在国内以及世界许多国家广为传播，取得了成绩，这与他们的领导人对珠算事业的重视和支持是分不开的。这里介绍日本首相海部俊树、中曾根康宏、桥本龙太郎、日本众议院议长坂田道太以及日本文部相石桥一弥、小杉隆等人关于珠算的言论。     

德哈斯-范·阿耳芬效应的研究

以朗道反磁性理论为基础，讨论了佩尔斯方法，并用此方法计算了朗道反磁性系统满足条件ｋＢＴ≈μＢεＦ时的ｌｎΞ；解释了德哈斯－范·阿耳芬效应     

利用4400系统构造具有光学多道分析功能的信号处理系统

基于4400系统,通过引入光电二极管列阵作为传感器,构造了具有光学多道分析功能的信号处理系统。利用该系统对实际的激光空间分布进行了描绘,给出了高斯场分布的相应参数。通过进一步观测p偏振光在K9玻璃上下表面反射光强比(γ)的角度调制曲线,获得了玻璃表面层的光学参数。实验结果表明,该系统测量精度高,可应用在激光时间信号及空间场分布的表征与测量领域。     

Nonlinear-Ion-Acoustic-Wave Instability, Threshold, Half Width of Trapped Region and Transition Region

Nonlinear Landau damping of ion acoustic wave (IAW) is one of the most important phenomena in the ionosphere and in space and laboratory plasma as well. The instability growth rate of the IAW with electron drift, the amplitude threshold for exciting the nonlinear effects, the half widths of the trapped region with the trapped electrons are studied experimentally. Under the experimental conditions, it is shown that there is a frequency range of 140--160 kHz, within which the growth rate has the largest value of about 6×10⁴--1.5×10⁵ s^-1. We obtain the transitional region width caused by collisions theoretically and experimentally, for the first time to our knowledge. The experimental results are in good agreement with the theoretical prediction.     

浅谈发光二极管在电学实验中的应用

发光二极管(LED)具有耗电省、灵敏度高的优点，并且有多种颜色．一般直径为Φ5mm的发光二极管工作电流为15mA，但当电流为0．5mA时，已有清楚显示，用于演示实验时，最好选用直径为12mm的高亮度管．采用LED做电学实验，可取得比传统方法好得多的效果．     

多道时间谱仪测量光速

介绍了多道时间谱仪的时间幅度变换原理，描述了谱仪的调试和主要指标的测定，并应用多道时间谱仪测量了光速．     

基于电吸收调制器的解复用器窗口特性分析及优化

数值模拟了基于电吸收调制器 (Electro absorptionmodulator,EAM)解复用器的开关窗口特性 ,在考虑邻道串扰和强度抖动 (由同步偏离和时间抖动导致 )的光时分复用数值模型中对解复用信号的误码率进行分析。数值模拟结果表明 ,电吸收调制器的窗口特性 (消光比和窗口宽度 )满足 4× 10Gb/s的光时分复用通信系统中解复用器的要求 ;在小的偏置电压下 ,邻道串扰和解复用器的透过率特性必须仔细考虑以达到最小的误码率 ;在大的偏置电压下 ,较大的射频幅度将会使解复用信号误码率最小     

未来重要光源——发光二极管

在电灯发明之后的100多年里,照明技术的不断发展使白炽灯和荧光灯面临着严重的威胁.特别是发光二极管技术的逐步成熟,引发了照明光源的一场技术革命.不仅仅是红绿灯,在大型屏幕显示、室内照明、汽车车灯、广告标志等所有需要光亮的地方,发光二极管都将取代传统的照明设备,成为未来的重要光源.     

用于KT-5C托卡马克等离子体电子密度测量的多道HCN激光干涉仪

等离子体的电子密度是聚变等离子体研究中的重要参数。一般采用探测电磁波通过等离子体后产生的相移来求等离子体的电子密度,等离子体引起的相移△(?)与探测弦线上的线积分电子密度n_e有如下的关系:     

由ψ（2S）→π~＋π~－J／ψ道测量J／ψ轻子道衰变分支比

利用北京谱仪（ＢＥＳ）上取得的ψ（２Ｓ）数据，对ψ（２Ｓ）→π＋π－Ｊ／ψ，Ｊ／ψ→１＋１－和Ｊ／ψ→任意末态两个过程进行了细致的研究，得到Ｊ／ψ的轻子道衰变分支比为Ｂ（Ｊ／ψ→ｅ＋ｅ－）＝（５．９０±０．０７±０．１６）％和Ｂ（Ｊ／ψ→μ＋μ－）＝（５．９６±０．０８±０．１６）％，由此给出Ｂｅ／Ｂμ的值为０．９９０±０．０１８±０．０２４．假定Ｂｅ＝Ｂμ，Ｊ／ψ的轻子道衰变分支比为Ｂ（Ｊ／ψ→１＋１－）＝（５．９３±０．０５±０．１６）％．上述结果可用来估计强相互作用耦合常数αｓ和ＱＣＤ减除参数∧．