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111.
112.
本文采用高压X光衍射方法在金刚石对顶压砧中在位地(in situ)研究了Fe68Co24Ni8(wt%)合金在室温下的压致bcc→hcp结构相变和直到40.5 GPa的等温压缩行为。实验结果表明该合金在常压下为bcc结构,晶格常数a0=(0.287 0±0.000 1) nm,体积V0=(7.119±0.007) cm3/mol,密度ρ0=(7.981±0.008) g/cm3;在20.9 GPa附近出现bcc→hcp结构相变,两相共存压力区约10 GPa,在此区域内有晶面间距d(002)hcp=d(110)bcc,且原子平面(002)hcp//(110)bcc,hcp相比bcc相体积减小(0.33±0.02) cm3/mol;高压相hcp结构的晶格参数比值c/a=1.608±0.004;相变后原子配位数的增加使得hcp相(002)平面内及(002)平面间的最近邻原子间距比bcc相最近邻原子间距分别增大约1.6%和0.5%;用Murnaghan状态方程对实验数据进行最小二乘法拟合,得到bcc相B0=(130±13) GPa,B0'=12.6±0.5;hcp相V0=(6.62±0.04) cm3/mol,B0=(243±21) GPa,B0'=6.8±0.3;对于该合金的bcc→fcp相变时的结构转变机制做了详细的讨论。 相似文献
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穆斯堡尔在阅读自己关于191Ir共振的第一篇文章时突然意识到,他可以直接由多谱勒位移实验来确定自然宽度的谱线--他预见到会有一场竞争.他把文章送到在他看来“没有多少人阅读的德文《自然科学》杂志上”发表.当立即有二百多人来索取复印本时,他“迅速意识到这竟是犯了一个多么大的错误”.他因发现这种“无反冲γ射线共振吸收效应”,获得1961年诺贝尔物理奖.鲁道夫·路德维希·穆斯堡尔生于1929年1月31日.他在一些工业实验室花费了一年时间,后来进入慕尼黑工业大学,1952年完成学位课程,1954年完成了他的论文.1955-1957年,他到马克斯-普朗克医学研究所从事研究工作,1958年在慕尼黑工业大学获得博士学位. 相似文献
115.
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三维射频加速腔程序包MAFIA的开发和应用 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了三维射频加速器计算机辅助设计(CAD)程序包MAFIA的特点、功能及其应用。用CAD的方法实现了射频加速器特别是非轴对称带耦合腔的加速器的三维腔形设计。同时介绍了节省内存、节约机时的模型方法,使得在中小型机器上运行大程序(八万条)成为可能。文章主要对L波段的加速腔进行了数值模拟,并和实验进行了比较,结果符合较好;通过三维数值模拟及图形模拟的方法比较了各种形状谐振腔的性能;计算分析了输入耦合腔及高阶模耦合器对加速腔电磁场分布等参量的影响;提出了加耦合器后谐振频率改变的补偿方法。 相似文献
117.
对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析以以半导体光放大器(SOA)为基础的对称马赫-曾德尔干涉仪(MZI)解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播(CPMZ)与同向传播(TPMZ)两种工作模式下的开关特性。研究表明:控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小,是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时,如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间,控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化;当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时,即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间,峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时,控制脉冲应尽可能窄,且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比,而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。 相似文献
118.
本文报道了Na^ —Tl^ 离子交换的K9玻璃衬底光功分器(工作波长为1.55μm),分析设计和器件的制作,并对制作的器件进行了模式损耗测试。结果表明,器件达到了预定的要求。 相似文献
119.
两步相移实现投影栅相位测量轮廓术 总被引:9,自引:2,他引:7
提出一种新的投影栅相位测量方法--两步相移法。该方法只需两幅相移条纹图,因此计算量小,速度快。给出了实验及计算结果,并同四步相移法进行了比较,证明了该方法具有较高的精度。 相似文献
120.
本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用B2O3作自助溶剂,LiF作稀释剂,确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。 相似文献