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1.
2-对联苯-8-羟基喹啉锌的合成及其应用于新型白光OLED 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了一种全新的有机发光材料2-对联苯-8-羟基喹啉锌(Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2), 通过1H NMR, UV-Vis等对配合物的结构进行表征. 利用该材料制备了新型白光有机电致发光器件(OLED), 其结构为: ITO/NPB (N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-二苯基-4,4'-二胺)/BCP (2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)/Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2/Al. 通过调节空穴阻挡层BCP的厚度, 实现了NPB(蓝光发射)和Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2(黄光发射)作为器件双发光层的有效复合, 并研究了其发光机理. 当BCP层的厚度为2.0 nm时, 获得了稳定的白色发光; 该器件在6 V电压下启亮, 20 V电压时最大发光亮度达到130 cd/m2, 电流效率为0.224 cd/A. 相似文献
2.
通过将共沉淀法制备的钙钛矿型氧化物镧掺杂锡酸钡(LBSO)与多壁碳纳米管(MCNT)混合均匀,制成浆料,并利用刮涂法将其涂布在商业隔膜Celgard 2500(PP)表面构筑阻挡层,获得改性隔膜(LBSO/MCNT/PP)。基于该改性隔膜的锂硫电池在0.1C下具有高达1 433 mAh·g-1的初始放电比容量,1C时300次循环后每圈容量衰减率为0.114%;当电流密度提高到3C时,仍具有764 mAh·g-1的放电比容量,表现出优良的倍率性能和循环稳定性,这主要是由于该阻挡层能够有效抑制多硫化物的穿梭。 相似文献
3.
Improvement of characteristics of an InGaN light-emitting diode by using a staggered AlGaN electron-blocking layer 下载免费PDF全文
The optical and physical properties of an InGaN light-emitting diode (LED) with a specific design of a staggered AlGaN electron-blocking layer (EBL) are investigated numerically in detail. The electrostatic field distribution, energy band, carrier concentration, electroluminescence (EL) intensity, internal quantum efficiency (IQE), and the output power are simulated. The results reveal that this specific design has a remarkable improvement in optical performance compared with the design of a conventional LED. The lower electron leakage current, higher hole injection efficiency, and consequently mitigated efficiency droop are achieved. The significant decrease of electrostatic field at the interface between the last barrier and the EBL of the LED could be one of the main reasons for these improvements. 相似文献
4.
In this paper, we investigate an Al2O3/HfSiO stack as the blocking layer of a metal-oxide-nitride-oxide-silicon-type (MONOS) memory capacitor. Compared with a memory capacitor with a single HfSiO layer as the blocking layer or an Al2O3/HfO2 stack as the blocking layer, the sample with the Al2O3/HfSiO stack as the blocking layer shows high program/erase (P/E) speed and good data retention characteristics. These improved performances can be explained by energy band engineering. The experimental results demonstrate that the memory device with an Al2O3/HfSiO stack as the blocking layer has great potential for further high-performance nonvolatile memory applications. 相似文献
5.
6.
微通道板及其发展趋势 总被引:1,自引:1,他引:1
回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况. 相似文献
7.
透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了氧化铟锡(ITO)薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用,对ITO气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。 相似文献
8.
9.
Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AIGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer 下载免费PDF全文
The efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode (LED) with an A1GaN/InGaN superlattice (SL) electron-blocking layer (EBL) is studied numerically, which involves the light-current performance curve, internal quan- tum efficiency electrostatic field band wavefunction, energy band diagram carrier concentration, electron current density, and radiative recombination rate. The simulation results indicate that the LED with an A1GaN/InGaN SL EBL has better optical performance than the LED with a conventional rectangular A1GaN EBL or a normal A1GaN/GaN SL EBL because of the appropriately modified energy band diagram, which is favorable ibr the injection of holes and confinement of elec- trons. Additionally, the efficiency droop of the LED with an AIGaN/InGaN SL EBL is markedly improved by reducing the polarization field in the active region. 相似文献
10.
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质.结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效. 相似文献