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1.
电路过渡过程所列方程是微分方程,本文中采用的是方框图模型分析法,即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加(减)、乘(除)、积分(微分)、增益等运算,采用VB设计用户界面产进行计算,并给出了一算例。 相似文献
2.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
3.
计算机是所有中专学校都开设的专业,合理定位物理课程在计算机专业中的地位,改革物理课程,具有深远的现实意义. 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
9.
关新民 《新疆大学学报(理工版)》2002,19(1):95-99
介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊--PD控制器,讨论了在SIMULINK环境下模糊-PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法,并给出仿真结果与结论。 相似文献
10.