Reynolds数对大攻角细长旋成体绕流滚转角效应影响的数值研究

使用低耗散的Roe格式,数值模拟了Reynolds数(Re)对大攻角细长旋成体绕流滚转角效应的影响.模型头部加了几何小扰动块以引发流场的不对称.在较大的Re数(Re=10 5)下,本文的计算结果与实验是相符的,此时细长体的滚转会导致双稳态、双周期现象,即侧向力随滚转角呈现类似方波形式的双周期变化,方波中侧向力基本保持不变的状态对应于流场的正则态,且两个正则态的侧向力方向相反,方波中侧向力基本保持不变的状态对应于流场的正则态,且两个正则态的侧向力方向相反;而在较小的Re数(Re=4 000)下,如果扰动足够大,细长体的滚转将导致不同的双稳态现象,此时两个正则态的侧向力方向相同,而在较小扰动下双稳态现象不再出现;Re数更小时(Re=1 000),即使在较大的扰动下,双稳态现象也不再出现,侧向力随滚动角仍是连续变化的.本文的计算结果表明,Re数越小,流场对头部扰动的感受性越弱.     

低压涡轮内部流动及其气动设计研究进展

随着高空无人飞行器研究的不断升温, 高空低雷诺数条件下动力装置的研究越来越受到人们的重视.结合近年来国内外相关领域的研究工作, 对低雷诺数低压涡轮内部复杂流动机理的研究进展进行了介绍, 包括低雷诺数情况下低压涡轮内部非定常流动的特点, 叶片边界层分离及转捩现象机理, 上游周期性尾迹与下游叶片边界层相互作用机理等. 在此基础上给出了适合低雷诺数条件的低压涡轮气动设计方法:尾迹通过与边界层的相互作用, 能够抑制分离, 进而减小叶型损失, 在气动设计中有效引入非定常效应可以大幅度提高低压涡轮的气动负荷或降低气动损失, 最终达到提高性能的目的;数值及实验结果验证了这种设计方法的有效性.      

桑蚕种良卵率调查中样本间卵粒数的偏差控制方法

桑蚕种良卵率是蚕种质量检验的重要指标,控制样本间卵粒数的偏差是保证良卵率准确性的关键。通过对桑蚕卵粒重的调查分析,得出其分布服从正态分布。若从一批蚕种中抽取1g卵作为样本,则来自同一总体的2个样本的卵粒数之差不超过16粒,其置信概率为95%;当置信概率取99%时,两个样本的卵粒数之差不超过21粒。文章为蚕业生产提供了一种实用的克卵粒数偏差控制方法。     

复数星图与单路的多染色拉姆齐数

对给定的简单图$H_1,H_2,\ldots,H_c$, 我们将使完全图$K_n$的任意边分解$\{G_i\}^c_{i=1}$都存在至少一个$G_i$有子图同构于$H_i$的最小正整数$n$称为多染色拉姆齐数 $R(H_1,H_2,\ldots,$ $H_c)$. 对正整数$m,n_1,n_2,\ldots,n_c$, 令$\Sigma=\sum_{i=1}^{c}(n_i-1)$. 在文献中,我们已经获得了$R(K_{1,n_1},\ldots,K_{1,n_c},P_m)$ 的一些界和精确值.Wang推测若$\Sigma\not\equiv 0\pmod{m-1}$且$\Sigma+1\ge (m-3)^2$, 则有$R(K_{1,n_1},\ldots, K_{1,n_c}, P_m)=\Sigma+m-1.$ 本文中, 我们给出了一个新的下界并给出$R(K_{1,n_1},\ldots,K_{1,n_c},P_m)$在$m\leq\Sigma$, $\Sigma\equiv k\pmod{m-1}$且$2\leq k \leq m-2$情况下的部分精确值. 这些结果部分证实了Wang的猜想.     

计算方程重根及其重数的算法

给出一种计算方程重根及重数的迭代算法,分别具有平方收敛和线性收敛.(i)迭代:x_(n+1)=x_n-f x_n (f'(x_n))/((f'(x_n))~2-(f(x_n)f~n(x_n)),m_n=((f'(x_n)))~2/((f'(x_n))~2-f(xn_)f″(x_n)),n=0,1,2,…,重数m≈mn;(ii)加速迭代:x_(n+1)=x_n-(f~((m-1))(x_n))/(f(~m)(x_n)).     

Extended Riccati Equation Rational Expansion Method and Its Application to Nonlinear Stochastic Evolution Equations

In this work, by means of a new more general ansatz and the symbolic computation system Maple, we extend the Riccati equation rational expansion method [Chaos, Solitons & Fractals 25 (2005) 1019] to uniformly construct a series of stochastic nontravelling wave solutions for nonlinear stochastic evolution equation. To illustrate the effectiveness of our method, we take the stochastic mKdV equation as an example, and successfully construct some new and more general solutions including a series of rational formal nontraveling wave and coefficient functions' soliton-like solutions and trigonometric-like function solutions. The method can also be applied to solve other nonlinear stochastic evolution equation or equations.     

High Photon-Number Squeezing in Strong Field Limit

We show that high photon-number squeezing in bright light can be generated in both lasers and optical bistabilities by the injections of a squeezed vacuum and a classical field, and the high squeezing is maintained for very strong field.     

稀土改性L沸石在烃类催化裂化催化剂中的应用

采用离子交换的方法制备了一系列复合稀土（含La及Ce）质量分数不同的稀土改性超稳L沸石（RE-USL）,以RE USL沸石替代质量分数为5%的REUSY作为催化裂化催化剂的活性组分,用标准轻油微反活性试验（MAT）评价了其催化性能,并同单一稀土元素改性USL沸石进行了对比。结果表明,一定量的复合稀土改性USL沸石的催化性能优于单一稀土（La或Ce）改性的USL沸石,在催化裂化催化剂中加入稀土改性USL沸石,可以降低汽油产品的烯烃质量分数;可以提高汽油的辛烷值。当复合稀土在RE USL沸石中的质量分数为0.4%左右时, 与不加稀土改性USL沸石催化剂相比较,催化剂的活性指数MAT提高3.6个单位,烯烃质量分数降低1.57个单位,研究法辛烷值（RON）提高2.08个单位,产品分布更合理。     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目     

A gauge theory for two-band model of Chern insulators and induced topological defects

In this paper a gauge theory is proposed for the two-band model of Chern insulators.Based on the so-calle't Hooft monopole model,a U(1)Maxwell electromagnetic sub-field is constructed from an SU(2)gauge field,from which arise two types of topological defects,monopoles and e2 merons.We focus on the topological number in the Hall conductance σ_xy=e²/hC,where C is the Chern number.It is discovered that in the monopole case C is indeterminate,while in the meron case C takes different values,due to a varying on-site energy m.As a typical example,we apply this method to the square lattice and compute the winding numbers(topological charges)of the defects;the C-evaluations we obtain reproduce the results of the usual literature.Furthermore,based on the gauge theory we propose a new model to obtain the high Chern numbers|C|=2,4.