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111.
K-强凸空间的一些性质 总被引:4,自引:0,他引:4
结合Banach空间的Drop性,利用K维体积给出了K—强凸空间的一个新的定义,同时也给出了K—强光滑空间定义的K维体积表示,然后利用单位圆的切片证明了K—强凸空间是自反空间,进而证明了K—强凸空间与K—强光滑空间是一对对偶空间.最后利用Drop性的切片描述证明了K—强凸空间具有Drop性. 相似文献
112.
本文用超声相比较方法测定了高Tc超导体La1.85Sr0.15CuO4,La2CuO4和YBa2Cu3O7的纵波和横波声速,进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La1.85Sr0.15CuO4样品上,还进行了压力实验,发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热cV和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。 相似文献
113.
G是群,R是G-分次环.本文将有限群G分次环R与G的smashproductR#G ̄*的理想交性质推广到无限群的情形.证明了:G是无限群,R是非奇异G-分次环.R与G的广义smashproductR#G ̄*有理想交性质的充要条件,对任意0≠a_e∈R_e. 相似文献
114.
张人智 《南昌大学学报(理科版)》1988,12(4):1
本文研究了某些特殊左零化子满足归纳条件的环的结构,得到:如果R是诣零环,P是使P半单环不含非零幂零理想的根性质,R为P根环的一个刻画。并对Goldie环的条件作了研究,得到了更一般的结果。 相似文献
115.
Characterization of a Marshall-Olkin type class of distributions 总被引:1,自引:0,他引:1
Pietro Muliere Marco Scarsini 《Annals of the Institute of Statistical Mathematics》1987,39(1):429-441
Summary A class of bivariate distributions that generalize Marshall-Olkin's one is characterized through a functional equation which
involves two associative operations. The obtained distributions concentrate positive mass on the linex=y when the two associative operations coincide; otherwise a positive mass is concentrated on a continuous monotone function.
Work performed while the authors were members of CNR-GNAFA. 相似文献
116.
本文采用去离子水和无水乙醇两种工质,利用微通道流动沸腾同步测量实验系统,研究了液膜厚度的瞬态变化规律,实验发现流动沸腾形成的初始液膜厚度在毛细数Ca很宽的范围内都遵循Taylor流动原理;液膜形成后,在蒸发和蒸汽流动携带的耦合作用下,厚度迅速减薄直至蒸干;由于水的汽液黏度比小,速度梯度小,剪切作用带来的液膜厚度减少量小,且水的汽化潜热大,吸收相同热量时蒸发量小,导致水的液膜厚度变化斜率较小,通过理论分析提出了沸腾液膜厚度变化的计算模型,计算结果与实验结果的误差小于20%。 相似文献
117.
118.
119.
采用分子动力学(MD)模拟计算,对Pd82Si18合金快凝过程中基本原子团簇的遗传特性、演化趋势和结构稳定性进行了研究.团簇类型指数法(CTIM)分析表明:非晶固体中Si原子为中心的(102/14418/1551)双帽阿基米德反棱柱(BSAP)团簇数目占据优势.快凝过程中,BSAP结构团簇具有最大的遗传分数,并且其他以Si原子为中心的Kasper团簇大多都会向BSAP结构团簇转变.通过对Si原子为中心的Kasper基本团簇电子性质第一性原理计算发现,体系中BSAP团簇的结合能最低,结构稳定性较高,与分子动力学计算结果一致. 相似文献
120.
通过第一原理电子结构计算来研究有序多孔纳米网的电导特性变化的能带机理.能带结构分析结果表明:石墨烯纳米网超晶格(3m,3n)(m和n为整数)的电子本征态在布里渊区中心点发生四重简并;碳空位孔洞规则排列形成的石墨烯纳米网具有由简并态分裂形成的宽度可调带隙,无论石墨烯的两个子晶格是否对等.在具有磁性网孔阵列的石墨烯纳米网中,反铁磁耦合使对称子晶格的反演对称性增加了一项量子限制条件,导致能带结构在K点的二重简并态分裂成带隙.通过控制网孔密度能够有效调节石墨烯纳米网的带隙宽度,为实现新一代石墨烯纳米电子器件提供了理论依据. 相似文献