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多孔硅的光致发光机制 总被引:1,自引:1,他引:1
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布,不仅使光致发光谱存在一定的带宽,而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。 相似文献
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论证了在赝带隙光子晶体中存在一个全频率域态总数守恒规则,在完全带隙光子晶体中还存在一个局域态总数守恒规则.态总数守恒规则指出,如果一个光子晶体的态密度在某些频率范围存在相对于等效介质态密度的谷,则一定由其他频率范围内相对于等效介质态密度的峰来补偿.使用符合态总数守恒规则的态密度模型,解释了态密度调制导致的自发辐射谱增强、抑制、变窄、红移、蓝移以及谱分裂等光子晶体中的量子光学现象.该理论比较适合研究在具有赝带隙的光子晶体中大量随机分布的发光原子或分子的自发辐射行为.
关键词:
光子晶体
自发辐射
态密度
光子赝带隙 相似文献
166.
垂直腔面发射半导体微腔激光器 总被引:19,自引:0,他引:19
评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展,就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述,探讨了进一步降低半导体激光器阈值的途径,介绍了新型的氧化约束型垂直腔面发射半导体激光器,并对微腔激光器中自发辐射增强效应和三维封闭腔的特性给出了描述,同时展望了该器件的应用及发展前景。 相似文献
167.
利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/AlGaAs量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,InAlAs量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。 相似文献
168.
The negative corona discharge problem for multi-electrode geometries is modeled by a three species model. The equations are solved using domain decomposition, by recognizing that multiple species are only present in a small part of the domain, and hence only need to be incorporated locally in the model.The method is applied to an industrially relevant three wire electrostatic precipitator geometry. The calculated current density is in good agreement with experimental data. To further illustrate applications of the three species solution, it is used for coupled particle, fluid, and electrostatic simulations to analyze particle collection properties. 相似文献
169.
170.
The spectroscopic performance of Yb-doped calcium fluorapatite (Yb:FAP) was assessed by measuring polarization absorption spectra, polarization emission spectra and fluorescence lifetime. The emission cross section has been evaluated using the absorption cross section and principle of reciprocity. The π polarization absorption and emission cross sections of Yb3+ in FAP are found to be substantially larger than those of other Yb-doped media. Favorable spectroscopic parameters show that Yb:FAP crystal is more desirable for many diode-pumped solid state laser application with low- and medium-power in the near future. 相似文献