全文获取类型
收费全文 | 3059篇 |
免费 | 288篇 |
国内免费 | 225篇 |
专业分类
化学 | 1028篇 |
晶体学 | 7篇 |
力学 | 657篇 |
综合类 | 55篇 |
数学 | 722篇 |
物理学 | 1103篇 |
出版年
2024年 | 12篇 |
2023年 | 39篇 |
2022年 | 115篇 |
2021年 | 107篇 |
2020年 | 131篇 |
2019年 | 98篇 |
2018年 | 83篇 |
2017年 | 109篇 |
2016年 | 146篇 |
2015年 | 111篇 |
2014年 | 163篇 |
2013年 | 189篇 |
2012年 | 124篇 |
2011年 | 185篇 |
2010年 | 115篇 |
2009年 | 146篇 |
2008年 | 155篇 |
2007年 | 177篇 |
2006年 | 163篇 |
2005年 | 145篇 |
2004年 | 112篇 |
2003年 | 113篇 |
2002年 | 110篇 |
2001年 | 93篇 |
2000年 | 83篇 |
1999年 | 69篇 |
1998年 | 77篇 |
1997年 | 61篇 |
1996年 | 59篇 |
1995年 | 49篇 |
1994年 | 26篇 |
1993年 | 32篇 |
1992年 | 20篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 21篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 4篇 |
1971年 | 2篇 |
1969年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有3572条查询结果,搜索用时 36 毫秒
81.
In light of the proposed equivalent method, a three-dimensional structural modeling of InSb infrared focal plane arrays (IRFPAs) is created, and the simulated strain distribution is identical to the deformation distribution on the top surface of InSb IRFPAs. After comparing the deformation features at different regions with the structural characteristics of IRFPAs, we infer that the flatness of InSb IRFPAs will be improved with a thinner indium bump array, and this inference is verified by subsequent simulation results. That is, when the diameter of indium bump is smaller than 20 μm, the simulated Z-components of strain on the whole top surface of InSb IRFPAs is uniform, and the deformation amplitude is small. When the diameter of indium bump is larger than 28 μm, the simulated Z-components of strain increases rapidly with the thicker indium bump, and the flatness of InSb IRFPAs is worsened rapidly. According to the changing trend of deformation amplitude with diameters of indium bump, and employing element pitches normalization method, a design rule of indium bump is proposed. That is, when the diameter of indium bump is shorter than 0.4 times the element pitch, the flatness of InSb IRFPAs is in an acceptable range. This design rule was supported by different IRFPAs with different formats delivered by several main research groups for achieving a longer cycling life. 相似文献
82.
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 总被引:3,自引:4,他引:3
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。 相似文献
83.
作为零位干涉检测方法中非常有前途的一种方法.计算全息可以用于非旋转对称的非球面的检测.以三次相位板为例,阐述了利用计算全息图检测非旋转对称的非球面的基本原理.分析并推导了三次相位传播过程引入的高阶波像差的理论公式,给出了三次相位板的检测系统的没计结果.详细讨论了计算全息图衍射级次的分离以及计算全息图的二元化,给出了振幅型的计算全息图的图样.计算全息图的刻线最小问隔是40μm,计算全息图的制作精度对检测结果的波前误差的影响仅仅为0.005λ.对检测系统作了详细的公差分析,结果表明所有调整公差对整个检测系统的影响和方根值为83.954 nm. 相似文献
84.
ZHI Qi-Jun REN Zhong-Zhou ZHANG Xiao-Ping ZHENG Qiang 《理论物理通讯》2008,50(9):707-714
The ground state properties of superheavy nuclei are systematically calculated by the macroscopic- microscopic (MM) model with the Nilsson potential. The calculations well produced the ground state binding energies, α-decay energies, and half lives of superheavy nuclei. The calculated results are systematically compared with available experimental data. The calculated results are also compared with theoretical results from other MM models and from relativistic mean-field model. The calculations and comparisons show that the MM model is reliable in superheavy region and that the MM model results are not very sensitive to the choice of microscopic single-particle potential. 相似文献
85.
用变加速动力学的急动度(加加速度)概念,分析了车辆、电梯的乘座舒适性与高层钢结构建筑的风振舒适性问题. 相似文献
86.
针对大口径离轴凸非球面面形检测的困难,本文将光学系统波像差检验技术与子孔径拼接干涉技术相结合,提出了凸非球面系统拼接检测方法。对该方法的基本原理和具体实现过程进行了分析和研究,并建立了合理的子孔径拼接数学模型。当离轴三反光学系统的主镜和三镜加工完成以后,对整个系统进行装调和测试,并依次测定光学系统各视场的波像差分布,通过综合优化子孔径拼接算法和全口径面形数据插值可以求解得到大口径非球面全口径的面形信息,从而为非球面后续加工和系统的装调提供了依据和保障。结合工程实例,对一口径为287 mm×115 mm的离轴非球面次镜进行了系统拼接测试和加工,经过两个周期的加工和测试,其面形分布的RMS值接近1/30λ(λ=632.8 nm)。 相似文献
87.
为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法, 用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算, 表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下, 锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象.
关键词:
高氧空位
2半导体')" href="#">锐钛矿TiO2半导体
电子寿命
第一性原理 相似文献
88.
89.
对AlGaInAs多量子阱1 300 nm FP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20 μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件单模光纤的平均耦合功率从1 850 μW提高至2 326 μW,耦合效率从21.1%提高到26.5%。对两种激光器进行光电参数的测量,结果表明:与常规封装器件相比,采用反射式倒装结构器件的饱和电流从135 mA提高至155 mA,饱和输出功率从37 mW提高至42 mW,热阻从194 K/W降低至131 K/W。最后对两种器件在95℃环境温度、100 mA电流下进行加速老化实验,老化结果显示:在老化条件下,器件衰退系数从常规封装的4.22×10-5降低至1.06×10-5,寿命从5 283 h提高至21 027 h。 相似文献
90.