Kinematics of τ two-body decay near τ threshold at BESⅢ

The kinematic properties of two-body decay near τ threshold are studied according to the special capacity of the BEPC accelerator and the BESⅢ detector.Explicitly presented are the transformations of energy and momentum of hadronic particles between different reference frames,and the corresponding distributions.A brand new method is proposed to obtain the energy spread of the accelerator by fitting the energy distribution of hadron from τ semi-leptonic decays.     

Eigenmode analysis for the radiating stationary state of N two-level atoms in a slab geometry near threshold

We explore steady states of an open, no end-mirrors, low-Q cw laser pumped above the threshold for laser oscillations. We find that the spatial field profile of the steady state just above the threshold is the same as that of the eigenmode that dominates superradiance in the late linear regime from an initially inverted state without continued pumping. The threshold pumping rate and emission frequency are related to the real and imaginary parts of the eigenvalue of this dominant mode.     

真空环境中紫外脉冲激光对熔石英抗损伤能力的影响

在10-3Pa的高真空环境下,利用355nm的紫外脉冲激光以低于石英基片零概率损伤阈值的能量密度对其进行重复多次的全口径扫描,目的是为了研究石英基片在接受不同剂量的紫外激光辐照后其抗损伤能力的变化和原因.通过辐照过程中损伤点的扩展程度以及辐照后的抗损伤测量表明,高真空环境下紫外脉冲激光辐照后的石英基片抗损伤能力明显降低,降低的幅度更多的与其接受激光辐照的次数有关,辐照能量密度的影响相对较小;通过荧光及X射线光电子能谱(XPS)检测发现,紫外脉冲激光辐照后石英基片表面氧缺位的增加是导致其抗损伤能力下降的主要原因,其程度也直接与接受辐照的紫外脉冲激光剂量相关.     

衬底加温和后续热退火法形成纳米硅晶粒成核势垒的比较

在真空环境中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在衬底加温和室温条件下沉积制备了纳米Si薄膜.对在室温条件下制备得到的非晶Si薄膜,采用后续热退火实现其晶化.通过扫描电子显微镜、Raman散射仪和X射线衍射仪对制备的薄膜形貌、晶态成分进行表征,得到两种情况下纳米Si晶粒形成的阈值温度分别为700 ℃和850 ℃,通过定量计算比较了两种情况下晶粒成核势垒的大小,并从能量角度对阈值温度的差别进行了理论分析.     

BaFe0.4Sn0.6O3/BaBiO3负温度系数复合热敏陶瓷阻抗分析

以BaBiO₃为导电相,BaFe_0.4Sn_0.6O₃为高阻相,采用固态反应法制备了不同BaBiO₃含量的BaFe_0.4Sn_0.6O₃/BaBiO₃负温度系数(NTC)热敏复合陶瓷.为获得在渗流阈值(即BaBiO₃含量为12 mol%)前后复合陶瓷的内部导电机理,对复合陶瓷进行了阻抗分析.分     

Simpson不等式的改进及其应用

通过一阶导数对Simpson不等式进行了改进,并推导出了相应的数值积分公式和最佳误差限,扩大了Simpson积分公式的适用范围,最后给出了具体的数值应用.     

公司规模门槛效应下的董事会独立性与公司价值的关系

对于独立董事比例与公司价值之间的关系,以往的研究得出了完全不同的两种结论,原因是因为公司在确定独立董事比例可能与公司规模等公司的自身因素大小。本研究通过检验发现,公司规模对独立董事比例具有门槛效果,使用门槛回归模型可以更好的解释独立董事比例和公司价值之间的关系,实证研究的结果表明,在不同公司规模门槛区间,独立董事比例和公司价值之间的相关性有所差异.     

两部门生产函数门限模型及应用——以能源消费与经济增长关系为例

本文在一般化两部门生产函数模型基础上,运用门限理论,建立了两部门生产函数门限模型。该模型在存在门限效应时,更能够表达生产要素对产出的非线性机制的内涵。在以两部门生产函数门限模型的能源消费与经济增长关系为例的实证分析中发现,我国能源消费与经济增长之间存在显著的门限效应,1988年前能源消费对经济增长关系不显著,在1988年后其关系才显著,且对非能源部门存在显著的外溢作用。     

高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型

为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的影响,栅金属长度及其功函数变化的影响,不同漏电压对短沟道效应的影响.结果表明,沟道表面势中引入了阶梯分布,因此源端电场较强;同时漏电压引起的电势变化可以被屏蔽,抑制短沟道效应.栅介电常数增大,也可以较好的抑制短沟道效应.解析模型与数值模拟软件ISE所得结果高度吻合. 关键词： 异质栅 绝缘衬底上的硅 阈值电压 解析模型     

一类具有双时滞的SEIRS传染病模型的分析

研究了一类具有双时滞的SEIRS传染病模型,利用对模型子系统的分析,得到了疾病灭绝与否的基本再生数,给出了无病平衡点的全局吸引性及地方病平衡点稳定性的存在条件,并证明了疾病的持久性.