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991.
石刚  岑洁萍  樊莉  刘拥军 《物理学报》2007,56(8):4653-4656
基于电磁场理论,推导了左右手系材料界面处发生全反射时的物理特性,分析了相位变化情况.提出利用左右手系材料构成周期性结构,观测全反射时介质中隐失波干涉的实验设想,并从理论上计算了干涉条纹的分布. 关键词: 左手材料 负折射率 全反射 隐失波  相似文献   
992.
钙钛矿CaTiO3的超高压结构研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
巫翔  秦善  吴自玉  董宇辉  刘景  李晓东 《物理学报》2004,53(6):1967-1971
利用同步辐射x射线衍射和 DAC 高压技术在室温下测量了钙钛矿CaTiO3在压力0—44.53 GPa下的结构变化.结果表明,随着压力的增加CaTiO3的三个晶轴都受到不同程度的压缩,a,b的压缩率相近且相对比较大,c的压缩率最小,但没有证据表明有相变的发生.在压力范围内CaTiO3的P-V关系用Murnaghan状态方程表示,设定K′0=4,得到V0=0.2245(6)nm3和K0=222(9) GPa.应用赝立方角γpc与压力的关系,初 关键词: 3')" href="#">CaTiO3 结构 超高压 状态方程  相似文献   
993.
离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李金华  袁宁一 《物理学报》2004,53(8):2683-2686
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词: VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数  相似文献   
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