静电场中零电势点的确定和电势的计算

在静电场中,零电势点位置的确定,对电势计算的方便与否起着致关重要的作用.下面就4种情况,简述零电势点位置的确定及相应电势的计算公式.1 点电荷电场中各点电势的计算 例1 设一带电量为Q的点电荷,放在相对电容率为εT的无限大均匀电介质中,求空间各点的电势.     

三包层WⅠ和WⅡ型单模光纤波导色散特性的研究

研究了三包层WⅠ和WⅡ型单模光纤的波导色散特性。结果发现在相同条件下，三包层WⅠ和WⅡ型单模光纤零色散点的调节范围比传统的双包层W型单模光纤明显增大。详细分析了几何参量P、Q和光学参量R1、R2对单模传输时的波导色散特性和低次模截止频率的影响。所得的研究结果为获得更为理想的色散补偿、色散平坦光纤及设计新型无源光器件提供了重要的依据。计算波导色散的方法可推广到多包层光纤。     

半连续格的刻画和映射

本文讨论了半连续格的一些性质,在半连续格中引入半Scott开集族,用半Scott开集族来刻画半连续格,同时定义了半连续格之间的半连续映射,得到闭包算子的像仍是半连续格的条件.最后,研究了半连续格上的半连续映射的全体不动点之集的性质。     

高阶线性微分方程的解及其解的导数的不动点

研究了复域齐次和非齐次线性微分方程的解及其解的导数的不动点与超级问题,得到了整函数系数的齐次和非齐次线性微分方程的解及其解的导数的不动点的两个结果,所得结果推广了一些相关结果.     

自反BCK—代数

本文在BCK-代数中引进稳定子的概念，并定义一类特殊的BCK-代数——自反BCK-代数，证明自反BCK-代数的概念与半单BCK-代数的概念是一致的。同时对于有限BCK-代数还得到它是自反的一个充要条件。     

广义拓扑分子格中分子网的θ—收敛性

本文在广义拓扑分子格中建立了分子网的Ｍｏｏｒｅ－Ｓｍｉｔｈθ收敛理论。借助于此理论，我们得到了刻划弱连续序同态的三个特征定理。     

关于超幂零根与次幂等根的一个特征

本文我们引入了规范根的概念，讨论了它的基本性质，证明了一个遗传根是超幂零根或次幂等根当且仅当它是规范根，从而给出超幂零根与次幂零等根的一个统一刻划。     

限制李超代数p-理想与其Frattini p-理想紧密联系的性质

对限制李超代数的一些p-理想与Frattini p-理想紧密联系的性质进行了讨论,给出p-基本限制李超代数和E-p-限制李超代数的一些结果,证明L是E-p-限制李超代数当且仅当L/φp(L)是p-基本的,研究了p-理想Ep(L)(其中Ep(L)是含于一切满足L/A是p-基本的所有p-理想A的交),描述限制李超代数的Frattini p-理想和某些p-理想之间的关系.     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．